NCP4304A ， NCP4304B
C
国际空间站
+
C
gs
)
C
gd
C
RSS
+
C
gd
C
OSS
+
C
ds
)
C
gd
图65.典型的MOSFET电容依赖于V
DS
和V
GS
电压
因此， MOSFET的输入电容操作
在零电压模式被栅极的并联组合给予
到源极和栅极漏电容（即
国际空间站
电容
对于给定的栅极到源极电压）。总栅极电荷，
Q
G_TOTAL
,
目前市场上大多数的MOSFET被定义为硬
交换条件。为了准确地计算出
行驶在SR系统损失的，确定是必要的
MOSFET的操作在一个栅极电荷专
ZVS系统。一些制造商定义此参数为
Q
g_ZVS
。不幸的是，大多数的数据表没有提供这
数据。如果C
国际空间站
（或Q
g_ZVS
）参数是不可用，则
它需要被测量。请注意，输入
电容不是线性的（如图所示的图65 ） ，它需要
要特征在于对于给定的栅极电压钳位电平。
第2步 - 栅极驱动损耗计算：
的总的驱动损失，可以计算使用所选择的
栅极驱动钳位电压和输入电容
MOSFET ：
P
DRV_total
+
V
CC
@
V
钳
@
C
g_ZVS
@
f
SW
（当量8）
栅极驱动损耗受栅极驱动钳
电压。栅极驱动器的钳位电压的选择取决于
MOSFET的使用类型（阈值电压与通道
阻力位）。总功率损耗（驾驶和损失
传导损耗）应选择时要考虑
栅极驱动钳位电压。今天的大多数MOSFET，以SR
系统具有低R
DS （ ON）
5 V V
gs
电压，因此它
有利于使用B版本。然而，仍然有一个大
组需要较高栅极市场上的MOSFET的
至源极电压
在这种情况下，一个版本应该被使用。
是电源电压
是驱动钳位电压
是栅极到源极的电容
MOSFET的ZVS方式
f
sw
是目标的开关频率
应用
总的驱动功率损失将不仅在消退
上述IC ，而且在外部电阻一样的外部栅
电阻器（如果使用）和MOSFET内部栅极电阻
（图66）。由于NCP4304A / B有钳位
驱动器，它的高侧部可以被建模为一个正规
用等效电阻和串联电压驱动开关
源。低侧驱动器开关电阻不降
立即关断时，因此有必要使用一个
等效值（R
drv_low_eq
）进行计算。该方法
简化了功率损耗的计算和仍提供
可接受的准确度。内部驱动器的功率耗散能
然后使用公式9计算：
其中：
V
CC
V
钳
C
g_ZVS
栅极驱动电路图66.等效原理图
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