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TC6501/2/3/4
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
除非另有说明，V
CC
= 5.0V ，R
引体向上
= 100 kΩ的（ TC6501只/ TC6503 ） ， 100 pF的去耦
从V电容器
CC
到GND ，T
AMB
= +25°C.
60
40
注意：
.
50
35
频率
40
30
20
10
0
电源电流（ μA ）
30
25
20
15
10
5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2
精度（ ° C）
3 4 5
0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
温度（℃）
图2-1：
80
70
输出电阻（Ω ）
跳变门限准确度。
图2-4：
温度。
12
10
滞后（ ° C）
电源电流与
V
CC
= 4.0V
V
CC
= 2.7V
60
50
40
30
20
10
0
V
CC
= 5.0V
HYST = V
CC
TC6503/04
TC6501/02
8
6
4
HYS = GND
2
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
温度（℃）
TC6503/04
TC6501/02
图2-2：
温度。
输出灌电阻与
0
-45 -25 -5 15 35 55 75 95 115
阈值温度（ ° C）
图2-5：
温度。
滞后与旅行
+100C
+100C
+15C/div
12.5 C / DIV
安装在0.75平方英寸
的2盎司铜
+25C
安装在0.75平方英寸
的2盎司铜
+25C
5sec/div
20sec/div
图2-3：
热阶跃响应
全氟化液体（ SOT -23 ） 。
2002-2012 Microchip的科技公司
图2-6：
静止的空气中（ SOT -23 ） 。
热阶跃响应
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