TC2014/2015/2185
注意：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
OUT
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
图2-19：
(C
OUT
= 1 F).
线路瞬态响应。
图2-22 ：
唤醒响应。
电源纹波抑制
（ dB）的
0
-10
-20
-30
I
OUT
= 150毫安
V
IN
= 4.0V
V
INAC
= 100 mV的
V
OUTDC
= 3.0V
C
OUT
= 1μF陶瓷
C
绕行
= 0.01 μF陶瓷
V
OUT
100mV/DIV
150mA
-40
-50
-60
I
OUT
= 100毫安
V
IN
= 3.105V
V
OUT
= 3.006V
C
IN
= 1
μF
陶瓷的
C
OUT
= 10
μF
陶瓷的
R
负载
= 20
Ω
100mA
I
OUT
= 50毫安
-70
10
100
10k
100k
1M
10000 100000 100000
0
频率（Hz）
1k
1000
图2-20 ：
在负载瞬态响应
辍学。 （C
OUT
= 10 F).
图2-23 ：
PSRR VS.频率
(C
OUT
= 1 μF陶瓷电容） 。
电源纹波抑制
（ dB）的
0
-10
-20
-30
I
OUT
= 150毫安
V
IN
= 4.0V
V
INAC
= 100 mV的
V
OUTDC
= 3.0V
C
OUT
= 10 μF的陶瓷
C
绕行
= 0.01 μF陶瓷
-40
-50
-60
-70
10
10
I
OUT
= 100毫安
100
10k
100k
1M
10000 100000 100000
0
频率（Hz）
1k
1000
图2-21 ：
关机延迟时间。
图2-24 ：
PSRR VS.频率
(C
OUT
= 10 μF陶瓷电容） 。
2001-2012 Microchip的科技公司
DS21662F第7页
