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1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
数据表
产品说明
该SST39SF010A / 020A / 040顷CMOS多用途闪存（ MPF）与SST的propri-制造
etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化调谐
neling注入器可实现更高的可靠性和可制造性与其他方法相比。该
SST39SF010A / 020A / 040设备写（编程或擦除）以4.5-5.5V的电源。该
SST39SF010A / 020A / 040器件符合JEDEC标准引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时， SST39SF010A / 020A / 040设备提供了最大
字节编程20微秒的时间。这些器件使用翻转位或数据＃投票指示则以互补
程序化操作。为了防止意外写操作，他们有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用，这些器件提供10万个周期有保证的典型的耐力。数据
保留的额定功率为100年以上。
该SST39SF010A / 020A / 040器件适合于和适用于需要方便econom-
程序，配置或数据存储器中的iCal更新。对于所有的系统应用程序，它们显著
提高性能和可靠性，同时降低了功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存技术时的能量。所消耗的总能量是
函数的所施加的电压，电流和应用的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流更低，且具有更短的擦除时间，总能量
在任何擦除消耗或编程操作低于其他闪存技术。这些
器件还可以提高灵活性，同时降低了成本，程序，数据和配置存储
应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和编程时间，独立的数
删除/已发生的项目周期。因此，系统软件或硬件不
要修改或降额，这一点不同于其他闪存技术，其擦除和亲
克次上调，累计擦除/编程周期。
为了满足高密度，表面贴装的要求， SST39SF010A / 020A / 040顷提供32引脚
PLCC和32引脚TSOP封装。 A 600万， 32引脚PDIP也可以。参见图2 ，图3和4
对于引脚分配。
2013硅存储技术公司
DS25022B
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