MIS / MOS单层电容器
金属绝缘体半导体/金属氧化物半导体
对于射频，微波和GHz的范围内， AVX应用
提供MIS / MOS电容器。这些都是单层
电容器（小额贷款公司）使用氮化硅或二氧化硅来
生产小型，高Q值，温度稳定，绝缘击穿
电压，低漏电容。为了便于组装， AVX
提供广泛的终止样式环氧树脂或焊料
芯片粘接和随后的金或铝线thermoson-
IC和超声波焊接。自定义应用程序和设计
欢迎选购。请联系您当地的代表。
好处
MIS ，锡永介高达100V的应用
MOS ，二氧化硅
2
介高达50V的应用
尺寸小至10密耳（ 254μm ）的平方
DC到GHz操作
高Q值，低泄漏
如何订购
MS
系列
CODE
MS = MOS
MI = MIS
20
表壳尺寸
广场大小
在MILS
10, 20, 30, 40
OS =特殊
为了请
电源设计
3
工作
电压
2 = 2 WVDC
4 = 4 WVDC
Z = 10 WVDC
3 = 25 WVDC
5 = 50 WVDC
S =特殊
订单
S
介电码
S =二氧化硅
2
为MOS
唯一风格
N = SiON的管理信息系统
唯一风格
100
电容
EIA电容
代码为pF 。
前两个数字=
显著的数字或
“ R”代表小数点后一位。
第三个数字=数字
零点后或“R”
显著的数字。
M
电容
公差
F = ± 1%
J = ± 5%
K = ± 10%
M = ± 20%
3723
终止代码
第一个位置顶层
2号位上方粘合层
第三位下方粘合层
第四位底层
1 = AI
4 =镍
7 =钽
2 =铬
5 =钯
8 =的TiW
3 =金
6 = TA
9 = TiWNi
OSOS =特殊订单
请提供设计
W
包装
W =防静电
华夫格包
T =全测试
晶圆
D =晶圆测试
上丁
TAPE
典型的电连接特定的阳离子
材料
PF /毫米
2
典型
TCC
额定电压
峰值电压在+ 25℃
DF
电压稳定
频带
MIS （ SiON的）
150
± 60 PPM /°C
≤100
1.5倍额定
≤
0.1%
独立
≤
40 GHz的
MOS （SIO
2
)
85
± 30 PPM /°C的
≤
50
1.5倍额定
≤
0.1%
独立
≤
40 GHz的
测试方法
规范
MIL-STD-883
MIL-STD-883
MIL-STD-202
参数
粘结强度
剪切强度
生活
段落的方法
2011.7
2019
108
比电容（PF /毫米
2
）与额定电压
MIS \\ MOS电容的具体VS额定电压
140
电容（pF /毫米
2
)
120
100
80
60
MOS
管理信息系统
40
20
0
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
额定电压（ V）
