MCP6561/1R/1U/2/4
AC特性
电气特性：
除非另有说明： V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
- = V
SS
,
R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2，和C
L
= 25 pF的。 （见
图1-1） 。
参数
传播延迟
高到低， 100 mV过载
由低到高， 100 mV过载
SKEW
1
产量
上升时间
下降时间
最大切换频率
输入电压噪声
2
注1 ：
2:
t
R
t
F
f
TG
E
NI
—
—
—
—
—
传播延迟偏斜定义为：T
PDS
= t
PLH
- t
PHL
.
ENI是基于SPICE的模拟。
20
20
4
2
350
—
—
—
—
—
ns
ns
兆赫
兆赫
V
P-P
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 1.8V
10赫兹到10兆赫
t
PHL
t
PLH
t
PDS
—
—
—
—
—
56
34
49
47
±10
80
80
80
80
—
ns
ns
ns
ns
ns
V
CM
= V
DD
/2, V
DD
= 1.8V
V
CM
= V
DD
/2, V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
DD
/2, V
DD
= 1.8V
V
CM
= V
DD
/2, V
DD
= 5.5V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
温度参数
电气特性：
除非另有说明： V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， SC70-5
热阻， SOT- 23-5
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
JA
JA
JA
JA
JA
JA
—
—
—
—
—
—
331
220.7
149.5
211
95.3
100
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+125
+125
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
1.2
测试电路CON组fi guration
此测试电路配置用于确定所述
AC和DC规格。
V
DD
MCP656X
200 k
I
OUT
200 k
200 k
V
IN
= V
SS
V
SS
= 0V
200 k
V
OUT
25 pF的
图1-1：
交流和直流参数测试电路
推挽输出比较器。
DS22139C第4页
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