MCP6561/1R/1U/2/4
4.0
应用信息
V
DD
BOND
PAD
在MCP6561 / 1R / 1U / 2/4系列推挽输出
比较器制造在Microchip的先进设备，任何─
先进的CMOS工艺。它们适用于大范围
对需要低功耗的高速应用
消费。
V
IN
+邦德
PAD
输入
舞台
BOND
PAD
V
IN
–
4.1
4.1.1
比较器输入
正常工作
V
SS
BOND
PAD
该系列器件的输入级采用三
差分并行输入级：一个工作在低
输入电压，一个是在高输入电压下，一个在
中的输入电压。采用这种拓扑结构，输入电压
范围为0.3V以上V
DD
和低于V 0.3V
SS
，而
通过提供低失调电压输出的共
模范围。的输入偏置电压的测量是在
双方V
SS
- 0.3V和V
DD
+ 0.3V ，以确保正确
操作。
在MCP6561 / 1R / 1U / 2/4系列已经在内部设置
迟滞
V
HYST
即足够小，以保持输入
偏移精度和足够大，以消除输出
振荡等等，引起了比较自己的输入噪声
电压
E
NI
.
图4-1
描述了这种行为。输入
偏移电压（V
OS
）是中间值（平均值）
（输入参考）低 - 高和高 - 低跳变点。输入
滞后电压（V
HYST
）之间的差别
相同的触发点。
图4-2：
结构。
简化的模拟输入ESD
为了防止损坏和/或操作不正常
这些放大器的，它们在电路中必须限制
电流（和电压），在V
IN
+和V
IN
- 引脚（见
最大额定值 -
在开始时
第1.0节
“电气特性” ） 。
图4-3
显示
推荐的方法来保护这些输入。
内部ESD二极管防止输入引脚（V
IN
+
和V
IN
- ）从过分低于地面，并且
电阻R
1
和R
2
限制拉出的可能的电流
的输入脚。流二极管D
1
和D
2
防止输入引脚
(V
IN
+和V
IN
- ）从去太远高于V
DD
。当
实现，如图所示，电阻器R
1
和R
2
也限制
电流经过D
1
和D
2
.
V
DD
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
V
DD
= 5.0V
V
IN
–
V
OUT
迟滞
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
输入电压（ 10 mV /格）
D
1
V
1
R
1
D
2
V
2
R
2
R
1
R
2
R
3
+
MCP656X
–
V
OUT
输出电压（V）
时间（ 100 ms /格）
V
SS
- （最低预期V
1
)
2毫安
V
SS
- （最低预期V
2
)
2毫安
图4-1：
在MCP6561 / 1R / 1U / 2/4
比较器的内部迟滞消除
输出啁啾引起的输入噪声电压。
4.1.2
输入电压和电流
范围
图4-3：
输入。
保护模拟
上输入的ESD保护可描绘成
所示
图4-2 。
这种结构被选择
保护输入晶体管，并尽量减少输入偏置
电流（I
B
） 。输入ESD二极管钳位输入
下面，当他们试图去超过一个二极管压降
V
SS
。他们还夹住了走得太远任何电压
上述V
DD
;其击穿电压足够高，以
允许正常操作，并且足够低，以绕过防静电
在指定的范围内活动。
另外，也可以将二极管连接到所述左
电阻R
1
和R
2
。在这种情况下，电流通过
在流二极管D
1
和D
2
需要通过其他的限制
机制。电阻器然后用作浪涌电流
限制器;的直流电流流入输入引脚（Ⅴ
IN
+和
V
IN
- ）应该是非常小的。
2009-2013 Microchip的科技公司
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