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TLV700xx
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SLVSA00D - 2009年9月 - 修订2012年11月
输入输出电压差
该TLV700xx采用了PMOS导通晶体管来
实现低压差。时（V
IN
– V
OUT
）小于
辍学电压（V
DO ）
时，PMOS通设备
在操作的线性区域和输入用于─
输出电阻为R
DS （ ON）
在PMOS通
元素。 V
DO
与输出扩展约
当前由于PMOS器件表现为一个
电阻压降。
如同任何线性稳压器，PSRR和瞬态
反应被降解为（V
IN
– V
OUT
）的方法
辍学。这种效果显示在
图13
在
典型特征
部分。
对于可靠性好，热保护器应触发
至少+ 35 ° C以上的最大预期环境
特定应用的条件。这
配置产生最坏情况下的结
在最高温度为+ 125°C的预期
环境温度和最坏情况下的负载。
该TLV700xx的内部保护电路具有
旨在防止过载的情况。
它的目的不是为了取代适当的散热。
连续运行TLV700xx成热
关闭会降低设备的可靠性。
功耗
从模具中除去热量的能力是不同的
每
包
类型，
展示
不同
在印刷电路板的考虑（PCB）的
布局。在该装置周围的印刷电路板面积，是免费
其它组分的从设备移动的热
到环境空气中。性能数据为JEDEC低
与高K板在给定的
耗散
评级
表。使用较重的铜增加了
在从设备中取出热量的有效性。该
此外镀通孔的热的散热
层也提高了散热效率。
功耗取决于输入电压和负载
条件。功耗（PD ）等于
的输出电流和电压降的产品
在输出导通元件，如图
公式1 。
P
D
= (V
IN
-
V
OUT
)
I
OUT
(1)
瞬态响应
如同任何调节，增加的尺寸
输出电容降低过冲/下冲幅度
但增加了瞬态响应的持续时间。
欠压锁定（ UVLO ）
该TLV700xx采用了欠压锁定电路
保持关断输出，直到内部电路
正常操作。
热信息
热保护关闭输出时，
结点温度上升到大约+ 160℃，
使器件冷却。当结
温度冷却至大约+ 140 ℃，则
输出电路被重新启用。这取决于电源
耗散，耐热性，和周围
温度时，热保护电路的可能循环
打开和关闭。这个循环限制的耗散
调节器，保护它免受损害，其结果
过热。
任何趋势，以激活热保护电路
显示功耗过大或
散热器不足。对于运行可靠，结
温度应限制到+ 125 ℃的最大值。
为了估计安全边际在一个完整的设计
（包括
散热片）
增加
该
环境
温度，直到热保护被触发;
使用最坏情况下的负载和信号的条件。
包安装
对于焊盘占用的建议
TLV700xx可从德州仪器
网站：
www.ti.com 。
推荐地
图案为DSE ， DDC和DCK包
所示
图22 ，图23 ，
和
图24中的
分别。
图25 ，图26中的
和
图27
显示的机械封装尺寸
DSE ，DDC，和DCK封装。
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