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32MB， 3V ，多个I / O串行闪存
交流特性和操作条件
表38 ： AC特性和工作条件（续）
参数
页编程周期（ 256字节）
页编程周期（ n字节）
页编程周期，V
PP
= V
PPH
(256
字节）
程序的OTP循环时间（ 64个字节）
界别分组擦除周期时间
扇区擦除周期时间
扇区擦除周期时间（以V
PP
= V
PPH
)
批量擦除周期时间
批量擦除周期时间（以V
PP
= V
PPH
)
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
t
BE
t
上证
t
SE
符号
t
PP
民
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值
1
0.5
INT （ N / 8 ） ×
0.015
8
0.4
0.2
0.25
0.7
0.6
30
25
最大
5
5
5
–
0.8
3
3
60
60
单位
ms
ms
ms
ms
s
s
s
s
s
笔记
7
7
7
7
鉴于对于T的典型值
A
= 25 °C.
t
CH +
t
CL向上必须添加到1 /
f
C.
值由特性保证;未经100％测试。
表示为转换速率。
仅适用于作为一个写状态寄存器命令时，状态约束
寄存器写被设置为1 。
6. V
PPH
应保持在有效电平，直至编程或擦除操作了完井
Ted和它的结果（成功或失败）是已知的。
7.当使用页面编程命令编程连续字节，优化
定时与一个序列，包括其所有字节与多个序列得到的
只有几个字节（ 1 < < 256） 。
8.整数（A）的对应于A的上方整数部分例如整型（ 12/8 ） = 2，整数（ 32/8 ） = 4
INT （ 15.3 ） = 16 。
PDF ： 09005aef84566622
n25q_32mb_3v_65nm.pdf - 启示录摹9/12 EN
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