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STM32F302xx/STM32F303xx
表81 。
日期
修订历史
文档修订历史记录
调整
变化
更新后的第一页
去除引用VDDSDx和VSSSD
添加引用PM0214在
第1节
感动温度。传感器calibartion值toTable
74
和VREF
校准值
表27
更新
表2 ： STM32F30xB / C系列器件的功能和
第10页上的外设数量
UpdatedSection
3.4 ：第14页上的嵌入式SRAM
更新
第3.2节：第13页上的存储器保护单元（ MPU ）
更新
第3.23 ：第28页上的通用串行总线（ USB ）
改进
第3.25 ：第29页上的触摸传感控制器（ TSC ）
更新标题
表6 ： USART 27页上的功能
更新
表11 ： STM32F302xx / STM32F303xx引脚定义上
第36页
添加注释， PC13 ， PC14和PC15的
表11：
第36页上的STM32F302xx / STM32F303xx引脚定义
更新
图11 ：第54页上的供电方案
改进
表19 ：第56页上的电压特性
改进
表20 ：第57页上的电流特性
改进
表22 ：第58页上的一般操作条件
改进
图13 ： VBAT典型电流消耗（ LSE和RTC
ON / LSEDRV [ 1 ： 0 ] = ' 00 '）， 66页
更新
第6.3.14 ： 87页上的I / O端口特性
更新
表28 ：典型和最大电流消耗
VDD 62页上的供给在VDD = 3.6V
和
表29 ：典型和
最大消耗电流从电源VDDA 63页
更新
表30 ：典型和最大VDD消费停止
第65页和待机模式
和
表31 ：典型和最大
VDDA消费停机和待机65页上的模式
更新
表32 ：典型和最大电流消耗
VBAT电源66页
额外
图13 ： VBAT典型电流消耗（ LSE和RTC
开/ LSEDRV [1：0 ] =' 00 '）
更新
表33 ：典型电流消耗在运行模式，代码
与数据处理从Flash上运行67页
和
表34 ：
典型电流消耗在休眠模式下，代码从Flash中运行
或68页上的RAM
额外
表36 ：外设电流消耗71页
额外
表35 ：开关量输出I / O电流消耗70页
更新
6.3.6节：从低功耗模式73页上的唤醒时间
改进
第84页上的ESD绝对最大额定值
改进
表53 ：第90页上的输出电压特性
更新
第84页上的EMI特性
更新
表54 ：第91页上的I / O AC特性
更新
表51 ：第86页上的I / O电流注入的敏感性
更新
表56 ：第93页上的TIMX特点
更新
第7.2节：第126页上的热特性
额外
表67 ： 106页最大ADC RAIN
额外
表68 ： ADC精度 - 107页上的限制试验条件
更新
表69 ： 109页ADC精度
更新
表70 ： 112页DAC特性
更新
表72 ： 116页运算放大器的特性
在更新的图和表
第7节：包装特点
05-Dec-2012
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文档ID 023353第5版
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