STM32F103x4 ， STM32F103x6
表30 。
符号
电气特性
EMS特点
参数
条件
水平/
类
2B
V
FESD
V
DD
=
3.3 V ，T
A
=
+25 °C,
电压范围，可在任何I / O引脚施加
f
HCLK
=
72兆赫
诱发功能障碍
符合IEC 61000-4-2
快速的瞬态电压限制爆裂是
通过100 pF的对V应用
DD
和V
SS
销诱发功能障碍
V
DD
=
3.3 V ，T
A
=
+25 °C,
f
HCLK
=
72兆赫
符合IEC 61000-4-4
V
EFTB
4A
设计硬软件，以避免噪音问题
EMC特性和优化，在组件级具有典型的执行
应用环境，简化MCU软件。但是应当注意的是，良好的EMC
性能高度依赖于用户应用，特别是软件。
因此，建议用户施加EMC软件优化和
资格预审测试与要求为他申请了EMC等级关系。
软件推荐
软件流程图必须包括失控的条件，如管理：
●
●
●
损坏的程序计数器
意外复位
关键数据损坏（控制寄存器... ）
资格预审试验
大部分的常见故障（意外复位，程序计数器腐败）可
通过手动强制在NRST引脚或振荡器引脚1的低复制状态
第二个。
完成这些试验中， ESD应力下，可以直接在设备上施加过度的范围
规范值。当检测到异常行为，该软件可以被硬化
以防止发生不可恢复的错误（参见应用笔记AN1015 ） 。
电磁干扰（ EMI）的
通过该装置发射的电磁场时监视的简单应用程序是
执行（切换2个LED通过I / O端口） 。这个发射测试符合
IEC 61967-2标准，该标准规定了测试板和引脚负载。
表31 。
符号
EMI特性
参数
条件
受监控
频带
为0.130兆赫
马克斯与[F
HSE
/f
HCLK
]
单位
四十八分之八兆赫七十二分之八兆赫
12
22
23
4
12
19
29
4
-
dBμV的
S
EMI
峰值电平
V
DD
=
3.3 V ，T
A
=
25 °C
30至130兆赫
130兆赫到1GHz
SAE EMI水平
文档ID 15060第6版
53/90
