电气特性
STM32F103x4 ， STM32F103x6
片上外设电流消耗
片上外设的电流消耗是由于在
表19 。
该MCU放置
在下列条件下：
●
●
●
所有的I / O引脚的输入模式，在V的静态值
DD
或V
SS
（无负载）
所有的外设都被禁止，除非另有说明
给定的值是通过测量电流消耗计算
–
–
所有外设时钟关闭
只有一个外设的时钟
●
工作环境温度和V
DD
电源电压条件总结在
表6
外设电流消耗
(1)
外设
TIM2
TIM3
USART2
表19 。
典型功耗为25℃
1.2
1.2
0.35
单位
APB1
I2C
USB
可以
一个GPIO
GPIO B
GPIO
GPIO
APB2
ADC1
(2)
ADC2
TIM1
SPI
USART1
0.39
0.65
0.72
0.47
0.47
0.47
0.47
1.81
1.78
1.6
0.43
0.85
mA
mA
1. f
HCLK
= 72兆赫，女
APB1
= f
HCLK
/2, f
APB2
= f
HCLK
，每个外设的默认预分频值。
对于ADC 2.具体条件：F
HCLK
= 56兆赫，女
APB1
= f
HCLK
/2, f
APB2
= f
HCLK
, f
ADCCLK
= f
APB2/4
， ADON位
在ADC_CR2寄存器设置为1 。
5.3.6
外部时钟源的特性
从外部源的高速外部用户时钟产生
在给定的特性
表20
使用高速进行的测试结果
外部时钟源，并在环境温度和电源电压的条件
在总结
表9 。
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文档ID 15060第6版
