修订历史
表58 。
日期
STM32F103x4 ， STM32F103x6
文档修订历史（续）
调整
变化
注5
更新
注4
在加
表5 ：低密度
STM32F103xx引脚定义。
V
RERINT
和T
COEFF
加入
表12 ：嵌入式内参
电压。
典型的我
DD_VBAT
增加价值
表16 ：典型和最大
消耗电流在停机和待机模式。图15 ：典型
消耗电流在VBAT与RTC上与温度
不同的值VBAT
补充说。
f
HSE_ext
分修改
表20 ：高速外部用户时钟
的特点。
C
L1
和C
L2
用C代替中
表22 ： HSE 4-16 MHz振荡器
特征
和
表23 ： LSE振荡器的特性（ FLSE =
32.768千赫） ，
注释修改和移动表所示。
表24 ： HSI
振荡器特性
修改。从条件移除
表26 ：
低功耗模式唤醒时序。
注1
下面修改
图21 ：典型应用有一个8 MHz的
水晶。
图28 ：推荐NRST引脚保护
修改。
抖动加入
表27 ：第51页上的PLL特性。
IEC 1000标准的更新，以符合IEC 61000和SAE J1752 / 3更新
IEC 61967-2中
第5.3.10 ： 52页上的EMC特性。
C
ADC
和R
艾因
修改参数
表46 ： ADC特性。
R
艾因
修改后的最大值
表47 ： RAIN最大的fADC的速率= 14 MHz的。
小文的变化。
加入VFQFPN48包。
下面的更新说明2
表40 ： I2C特性
更新
图29： I2C总线的AC波形和测量电路
更新
图28 ：推荐NRST引脚保护
更新
第5.3.12 ： I / O电流注入特性
下面更新脚注
表6 ： 31页上的电压特性
和
表7 ：第32页上的电流特性
在更新TW分钟
表20 ：高速外部用户时钟
第45页上的特点
在最新版本的启动时间
表23 ： LSE振荡器的特性（ FLSE =
32.768千赫）第48页
额外
第5.3.12 ： I / O电流注入特性
更新
第5.3.13 ： I / O端口特性
24-Sep-2009
3
20-May-2010
4
19-Apr-2011
5
88/90
文档ID 15060第6版
