STGD6NC60HD
N沟道6A - 600V DPAK
非常快的PowerMESH IGBT
目标特定网络阳离子
表1 ：一般特点
TYPE
STGD6NC60HDT4
s
s
s
图1 ：包装
V
CES
600 V
V
CE （ SAT ）
I
C
（最大值） @ 25℃ @ 100℃
< 2.5 V
6A
s
s
s
s
更低的导通压降（ V
CESAT
)
关损失包括尾电流
损失包括二极管恢复
能源
LOWER
水库
/C
IES
比
高频率运行
非常软超快速恢复反
并联二极管
全新一代产品
严格的参数分布
3
1
DPAK
图2 ：内部原理图
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计的IGBT ，所述Pow-一种先进的家庭
erMESH
IGBT的，以优异的表演。
后缀"H"确定一个家庭的高优化
为了实现非常高频应用
高开关性能（降低TFALL ）联机
泰宁一低的电压降。
应用
s
高频逆变器
s
SMPS和PFC以硬开关
及谐振拓扑结构
s
电机驱动器
表2 ：订购代码
产品型号
STGD6NC60HDT4
记号
GD6NC60HD
包
DPAK
包装
磁带&卷轴
第1版
2005年6月
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细情况subjet更改，恕不另行通知
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