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MCP19035
（通常的底部）的建议。
使用短而宽的引线， MOSFET的栅极
驱动器连接（ LDRV和HDRV信号） 。
将主MOSFET （控制/高侧MOSFET导
场效应管）尽可能接近到输入电容器。
最小化的MOSFET之间的连接，所述
电感和MCP19035情况下（ PHASE节点）。
把这个节点在一个地平面，以减少
辐射噪声。
将补偿网络组件
附近的MCP19035外壳和连接这些
部件到一个低噪声接地（信号
接地）。
找到V
IN
去耦电容靠近
MCP19035情况。
找到自举电路电容靠近
MCP19035情况。
尽量减少高频电流环路面积。
图6-1
帮助PCB设计人员认主
对于同步降压高频电流路径
转换器。
C
IN
MCP19035
HDRV
I
HDRV
相
Q
1
I
IN
L1
Q
2
I
RR
LDRV
I
SR
I
LDRV
GND
C
OUT
R
L
其中：
I
IN
=输入电流转换器
I
SR
=流经同步整流器（ SR ） MOSFET
I
HDRV和
I
LDRV
= MOSFET驱动器“的电流
I
RR
=电流通过在SR MOSFET的体二极管的反向恢复产生
图6-1：
高频电流路径。
就噪声敏感型应用（例如， RF
应用程序）的过压犹在
由SR反向恢复生产阶段节点
MOSFET的体二极管可以通过将一个低可以减少
串联在自举电容电阻值。
这个电阻会减慢高端MOSFET
在由低到高的转变，减少了压摆率
SW节点的信号。这个推荐值
电阻是2.2Ω和10Ω之间，并且应
通过实验测量确定。的惩罚
包括这个电阻是一个效率降低。它
应，然而，不超过0.5％以上。
所有这些电流含有高频率成分
并能产生的EMI。尽量减少这些地区
循环会降低辐射噪声。
在SR MOSFET体二极管的反向恢复
电流噪声和电磁干扰的重要来源。这
当前，虽然很短的（小于10纳秒） ，可以
很容易达到几百安培，特别是当
使用输入旁路和非常快的低ESR电容
对于MOSFET的开关晶体管。如果该电流
通过具有高电感的路径通过，它将
产生强烈的电压振荡。
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2012 Microchip的技术公司
