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256MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
电气规格 - 我
DD
参数
命令唤醒，应重复任何时间
t
REF刷新的要求是excee-
DED 。
交流工作，我
DD
测试条件有V
IL
= 0V和V
IH
=使用3.0V的测量
1.5V的参考电平。如果输入的过渡时间比1ns的时间越长，则该定时是
从V测
IL ，最大
和V
IH ， MIN
并且不再从1.5V中点。 CLK应
始终1.5V参考分频器。请参考美光技术说明TN- 48-09 。
I
DD
规格测试后，该设备已正确初始化。
I
DD
依赖于输出负载和循环率。特定网络版值与获得
最小周期时间，输出打开。
在我
DD
当前将根据频的量增加或降低成比例地
昆西变更为测试条件。
地址转换平均一过渡每两个时钟。
为-75 ，CL = 3和
t
CK = 7.5ns ;对于-7E ，CL = 2和
t
CK = 7.5ns 。
其它输入信号被允许转换不超过每两个时钟再次与
在其他方面，在有效的V
IH
或V
IL
的水平。
CKE是在刷新命令时期HIGH
t
RFC （ MIN ）其他CKE低。在我
DD6
极限
实际上是一个标称值，并不会导致一个失败值。
使芯片的刷新和地址计数器。
PC100指定最大4PF的。
PC100指定最大为5pF的。
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PDF ： 09005aef8091e6d1
256Mb_sdr.pdf - 牧师 - [R 10/12 EN
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