VO205AT ， VO206AT ， VO207AT ， VO208AT
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威世半导体
测试条件
V
CM
= 1000 V
P-P
, R
L
= 1 kΩ,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 1000 V
P-P
, R
L
= 1 kΩ,
I
F
= 10毫安
符号
|C
MH
|
|C
ML
|
分钟。
典型值。
5000
5000
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
共模瞬态抗扰度
参数
共模瞬态抗扰度
在逻辑高
共模瞬态抗扰度
在逻辑低电平
B
1
7
6
R
L
1K
5 VDC
的dV = V 63 ％
CM
的dV = V 63 ％
CM
R
F
A
2, 3, 4
5
V
O
0.1 F
+
-
V
O
共模
电压V
CM
dt
时间
dt
V
B
= 4.5 V
CM
H
2.0 V
2.0 V
V
CM
21627
V
O
0.8 V
21626
CM
L
0.8 V
投入高压脉冲源
图。 1 - 测试电路的共模瞬态抗扰度
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
污染度
漏电起痕指数
绝缘测试电压
峰值瞬态过电压
峰值绝缘电压
电阻（输入到输出）
安全等级 - 功率输出
安全评级 - 输入电流
安全评级 - 温度
外部爬电距离
外部安全距离
内部爬电距离
绝缘厚度
1s
CTI
V
ISO
V
IOTM
V
IORM
R
IO
P
SO
I
SI
T
SI
4
4
3.3
0.2
175
4000
6000
560
100
350
150
165
测试条件
符号
分钟。
典型值。
40/100/21
2
399
V
RMS
V
V
GΩ
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这种光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
修订版1.2 ， 22 -NOV- 12
文档编号： 81957
3
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