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修订历史
表108.修订历史记录
表108
总结修改这个文件。
启示录
数
9牧师
日期
06/2012
实质性的改变（S ）
“在
表1中， "Ordering信息， "第3页，
从表中的行，并删除感叹号
删除表的脚注。
“在
表3 ， "i.MX25数字和模拟模块， "第6页，
块记忆的修改说明，
SIM卡。
- 更新
第3.2.1节“上电排序。 ”
- 更新
第3.2.3节， “ SRTC干冰上电/断电顺序。 ”
“在
图38
和
表56 ：
-Removed “ _B ” ，并添加上划线信号名称， CSx_B ， RW_B ， OE_B ， EBy_B ， LBA_B ，
ECB_B和DTACK_B
-Changed CSX和CSY到， CS [x]和CS [Y]分别
“在
表57 ， "WEIM异步时序参数相对于芯片选择表， " 76页：
-Changed WE和WEA到RW和RWA分别为参考号码， WE33
-Changed WE和闻到RW和RWN ，分别为参考号码， WE34
-Changed RLBA ， RLBN ，和ADH到的LBA ，黎巴嫩和LAH ，分别为参考号， WE35A
-Changed RBEA到EBRA参考号， WE37
-Changed RBEN到EBRN作参考号码， WE38
-Changed WCSA以CSA为参考数字， WE41和WE41A
-Changed WLBA ， WLBN ，和ADH到的LBA ，黎巴嫩和LAH ，分别为参考号， WE41A
-Changed WBEA和WBEN到EBWA和EBWN ，分别为参考号码， WE45和
WE46
更新后的注意事项
表57 。
“在
表99 ，在并行模式下"USB时序规范， " 124页，
换敏的价值观和
马克斯列的ID ， US15和US16 。
“在
表27 ， "AC参数SDRAM的I / O， " 36页，
频率指定已更新
133兆赫。
“在
表28 ， "AC参数SDRAM pbijtov18_33_ddr_clk I / O， "第37页，
频率
说明书已经更新至133兆赫。
更新的第一款
第3.2.3节， “ SRTC干冰上电/断电顺序。 ”
更新
表4 ， "Signal注意事项， " 9页
对于NVCC_DRYICE信号。
更新了第三个音符
表6 ， "DC工作条件， "第11页。
额外
表9 ， "Recommended外部晶体规格， "第13页。
额外
表10 ， "Recommended外部参考时钟规格， "第13页。
增加了一个音符在该行NVCC_DRYICE
表100 ， "17 ×17毫米包装地，电源感应和
参考联系人分配， " 125页。
更新
表101 ， "17 ×17毫米包装i.MX25信号触点的分配， " 127页。
增加了一个音符在该行NVCC_DRYICE
表104 ， "12x12毫米封装接地，电源检测，并
参考联系人分配， " 139页。
取出记录UPLL_BYPCLK ， USBPHY2_DP ， USBPHY1RREF ， USBPHY1_DM ，
从USBPHY1_DP ， USBPHY1_UID ， USBPHY1_VBUS和USBPHY2_DM接触
表104 ，
"12x12毫米封装接地，电源检测，并参考联系人分配， " 139页。
更新
表105 ， "12x12毫米包装i.MX25信号触点的分配， " 140页。
启8
01/2011
启示录7
12/2010
启示录6
启5
第4版
09/2010
08/2010
06/2010
增加
第3.2.3节， “ SRTC干冰上电/断电顺序。 ”
- 更新
表56 ， "WEIM总线时序参数， "第69页
以包括用于WE19新行。
- 更新
表6 ， "DC工作条件， "第11页
包括FUSE_VDD的最小值和最大值。
- 更新
表1中， “订购信息”
以包括新的零件号。
i.MX25应用处理器为消费者和工业产品，第9
飞思卡尔半导体公司
151
