对产品线
Diodes公司
FMMT491
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注9 ）
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极发射极Cuto FF电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
h
FE
民
80
60
7
—
—
—
100
100
80
30
—
—
—
—
—
150
典型值
—
—
8.1
<1
<1
<1
140
150
120
40
100
160
830
965
—
—
最大
—
—
—
100
100
100
—
300
—
—
150
250
1000
1100
10
—
单位
V
V
V
nA
nA
nA
测试条件
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安
I
E
= 100A
V
CB
= 60V
V
EB
= 5.6V
V
CE
= 60V, V
CES
= 60V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 1A ，V
CE
= 5V
I
C
= 2A ，V
CE
= 5V
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 1A ，V
CE
= 5V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 50mA时
F = 100MHz的
静态正向电流传输比（注9 ）
—
集电极 - 发射极饱和电压（注9 ）
基射极导通电压（注9 ）
基射极饱和电压（注9 ）
输出电容
跃迁频率
注意事项：
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
f
T
V
mV
mV
pF
兆赫
脉冲条件下9.进行测定。脉冲宽度
≤
300μS 。占空比
≤
2%.
FMMT491
文件编号： DS33091牧师6 - 2
4 7
www.diodes.com
2012年12月
Diodes公司
