IRF840S
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
易于并联的
▼
快速开关特性
▼
简单的驱动要求
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
500V
0.85Ω
8A
S
描述
APEC MOSFET提供电源设计与快速的最佳组合
切换，低导通电阻和合理的成本。
在TO- 263封装，广泛首选商业，工业表面
安装的应用程序，并适用于低电压应用，如直流/直流
转换器。
GD
S
TO-263(S)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
500
+20
8
5.1
32
125
2
单位
V
V
A
A
A
W
mJ
A
℃
℃
总功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
320
8
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
Maixmum热阻，结到环境
价值
1.0
40
单位
℃/W
℃/W
1
200904141
数据&规格如有变更，恕不另行通知
