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VLMW711U2U3XV
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
1.4
500
450
I
F
- 正向电流(mA )
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20804
Ф
V
REL
- 相对光通量
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
200
300
400
500
600
对于R
thJA
= 40 K / W
0
21671
20
40
60
80
100
120
I
F
- 正向电流(mA )
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图1.相对光通量与正向电流
图4.最大。容许正向电流与
环境温度
1.4
0.42
0.40
5000K
4500K
I
V
REL
- 相对Lumnious强度
1.2
1.0
0.38
5650K
UM
UN
- 坐标
0.36
7000K
VM
6300K
XM
XN
WM
WN
WO
VP
WP
10 000K
YO
XP
WQ
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
100
200
300
400
500
600
VN
VO
UO
UP
0.34
0.32
0.30
YA
XO
0.28
0.26
0.26
21438
0.28
0.30 0.32
0.34
0.36
0.38
20803
I
F
- 正向电流(mA )
X - Cordinate
图2.相对发光强度与正向电流
图5色组的坐标
600
100
%
I
F
- 正向电流(mA )
500
400
300
200
100
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
20963
80 %
I
REL
(I
F
= 140 mA)的
60
%
40
%
20
%
0
%
400 450 500 550 600 650 700 750
800
20805
V
F
- 前进
电压
(V)
λ
-
波长
(纳米)
图6.相对Spectrale发射
图3.正向电流与正向电压
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4
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文档编号83229
1.0版, 24 -FEB -09

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