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VLMS233 ..， VLMR233 ..， VLMK233 ..， VLMO233 ..， VLMY233 ..
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威世半导体
小功率贴片LED
特点
利用最新的先进的AlInGaP技术
可在8毫米磁带
发光强度和颜色每分类
包装单位
每封装单位光强度比
I
VMAX 。
/I
VMIN 。
1.6
ESD耐压值：高达2千伏根据
到JESD22 - A114 -B
19226
根据JEDEC Level 2a中预处理
IR回流焊
AEC- Q101标准
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
描述
新MiniLED系列已被设计在一个白色的小
SMT封装。该装置的特征是
很小
打包2.3毫米×1.3毫米× 1.4毫米。该MiniLED是
小规模，高功率产品明显的解决方案，
预计在艰苦的环境中可靠地工作。
这通常是在汽车和工业的情况下
应用程序。
应用
交通信号和标志
内部和外部照明
仪表板照明
指示灯和背光用途的音频，视频，
LCD的开关，符号，广告照明等
产品组和包数据
产品组： LED
产品系列：电力
封装： SMD MiniLED
半强度角： ± 60 °
零件表
部分
颜色
发光的
强度
（ MCD ）
分钟。典型值。马克斯。
VLMS233T1V1-GS08
VLMR233T2V2-GS08
VLMK233U1AA-GS08
VLMO233U1AA-GS08
VLMY233T2V2-GS08
超红
红
AMBER
软橙
黄
280
355
450
450
560
355
450
650
680
760
760
650
900
1120
1400
1400
1120
1120
20
20
20
20
20
20
在我
F
（MA ）
波长
（纳米）
分钟。典型值。马克斯。
626
619
611
600
602
583
630
625
616
605
605
589
639
631
622
611
609
594
20
20
20
20
20
20
在我
F
（MA ）
前锋
电压
(V)
分钟。典型值。马克斯。
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
2.0
2.0
2.1
2.1
2.1
2.15
2.6
2.6
2-6
2.6
2.6
2.6
20
20
20
20
20
20
的AlInGaP在Si
的AlInGaP在Si
的AlInGaP在Si
的AlInGaP在Si
的AlInGaP在Si
的AlInGaP在Si
在我
F
技术
（MA ）
VLMO233U2V2-35 - GS08软橙
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMS233 ..， VLMR233 ..， VLMK233 ..， VLMO233 ..， VLMY233 ..
参数
反向电压
(1)
测试条件
只是短期的应用
T
AMB
60 ° C（ 480 K / W ）
符号
V
R
I
F
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
5
50
130
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
480
单位
V
mA
mW
°C
°C
°C
K / W
直流正向电流
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/环境
安装在印刷电路板（垫大小> 16
mm
2
)
R
thJA
记
(1)
行驶在相反方向的LED适合于短期应用只
修订版1.2 ， 30 -APR- 13
文档编号： 82423
1
如有技术问题，请联系：
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本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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