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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
2.2
释义
B（大写）
W（大写）
B（小写字母）
ECC
计算出的ECC
写ECC
BufferRAM
BootRAM
DATARAM
扇形
字节， 8位
总之， 16位
位
纠错码
已经在负载或程序的访问被计算ECC
已被存储在NAND快闪存储器阵列，或在BufferRAM数据ECC
芯片内部缓冲区组成BootRAM和DataRAM的
在BufferRAM预留作引导代码缓冲的1KB部分
在BufferRAM的4KB部分预留数据缓冲
部分的页面; 512B用于主数据区和16B的备用区。
它也是最小负载/程序/复制回项目部
可用1 4部门操作过程中。
可能的数据单元，用于从存储器读出到BufferRAM或要被编程到存储器中。
- 528B ，其中512B是主要区域和16B的备用区
- 1056B ，其中1024B是在主要区域和32B的备用区
- 1584B ，其中1536B是在主要区域和48B的备用区
- 2112B ，其中2048B是在主要区域和64B的备用区
数据单元
10
