笔记
表11.直流特性（续）
编号C
17
18
19
20
21
22
23
1
2
3
4
5
特征
符号
t
POR
V
LVDH8
V
LVDL
V
LVWH
V
LVWL
V
HYS
V
BG
条件
民
10
典型值
1
—
2.16
2.21
1.82
1.90
2.46
2.46
2.16
2.21
50
1.17
最大
—
2.22
2.27
1.91
1.99
2.56
2.56
2.22
2.27
—
1.18
单位
μs
V
V
V
V
mV
V
POR重新布防时间
P
P
P
P
C
低电压检测阈值 -
高量程
7
低电压检测阈值 -
低量程
7
低电压警告阈值 -
高量程
7
低电压警告阈值 -
低量程
7
低电压抑制复位/恢复
迟滞
7
V
DD
落下
V
DD
升起
V
DD
落下
V
DD
升起
V
DD
落下
V
DD
升起
V
DD
落下
V
DD
升起
2.11
2.16
1.80
1.86
2.36
2.36
2.11
2.16
—
1.15
P带隙基准电压源
9
6
7
8
9
典型值是在25℃下测定。特点是，没有测试
随着电源电压升高，LVD电路将保持MCU在复位状态，直到电源高于V上升
LVDL
.
所有的功能性非电源引脚在内部钳位到V
SS
和V
DD
.
输入电流必须限制在特定的价值网络版。确定所需的限流电阻的值，计算
电阻值，正和负钳位电压，然后使用这两个值中的较大者。
电源必须保持在操作V监管
DD
在瞬时和运行的最大电流范围
条件。如果积极的注入电流（V
In
＆ GT ; V
DD
）是比我大
DD
，注入电流可能会溢流出的V
DD
并可能导致
在外部电源停止调整。确保外部V
DD
负载分流比最大注入电流越大
电流。这将是当MCU不耗电的最大风险。实例是：如果没有系统时钟，或者如果
时钟速率是非常低的（这会降低总的功率消耗） 。
最大的是POR保证最高电压。
低电压检测和警告限制在1 MHz的总线频率测量。
在1 MHz的总线频率下运行
工厂调整在V
DD
= 3.0 V，温度= 25°C
下拉电阻值（kΩ ）
40
上拉电阻标准结构
85°C
25°C
–40°C
下拉电阻标准结构
85°C
25°C
–40°C
上拉电阻值（kΩ ）
40
35
30
25
20
1.8
35
30
25
20
1.8
2
2.2
2.4
2.6 2.8
V
DD
(V)
3
3.2
3.4
3.6
2.3
2.8
V
DD
(V)
3.3
3.6
图6.上拉和下拉电阻的典型值
MC12311超前信息，版本1.0
飞思卡尔半导体公司
21
