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ILA03N60 ， ILP03N60
ILB03N60 ， ILD03N60
LightMOS功率晶体管
C
新的高压技术，旨在为ZVS -开关的灯
块石
IGBT集成反向二极管
4A电流额定值反向二极管
比MOSFET低了10倍栅极电容
额定雪崩
150 ° C工作温度
FULLPAK隔离2.5 kV交流（ 1分钟）
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
G
E
P-TO-220-3-31
（ TO-220 FULLPAK ）
P- TO- 263-3-2 （D
2
-Pak ）
(TO-263AB)
P- TO- 252-3-1 （ D- PAK ）
(TO-252AA)
TYPE
ILA03N60
ILP03N60
ILB03N60
ILD03N60
最大额定值
参数
V
CE
600V
600V
600V
600V
I
C
3.0A
3.0A
3.0A
3.0A
V
CE(sat),Tj=25°C
2.9V
2.9V
2.9V
2.9V
T
， MAX
150°C
150°C
150°C
150°C
包
P-TO-220-3-31
P-TO-220-3-1
P-TO-263-3-2
P-TO-252-3-1
价值
ILA03N60
600
3
2.2
9
5.5
4
2.2
9
5.5
0.32
±30
1
1
16.5
订购代码
Q67040-S4626
Q67040-S4628
Q67040-S4627
Q67040-S4625
符号
V
CE
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
C
I
Cpuls
I
F
I
Fpuls
E
AS
V
GE
dv / dt的
P
合计
T
英镑
T
s
OTHERS
4.5
3
单位
V
A
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
,
t
p
＆ LT ; 10毫秒
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
,
t
p
＆ LT ; 10毫秒
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
C
=0.4A,
V
CE
=50V
栅极 - 发射极电压
反向二极管的dv / dt
I
C
≤
3A,
V
CE
≤
450V,
T
JMAX
≤
150°C
功率耗散（T
C
= 25°C)
工作结温和存储温度
焊接温度
为10秒（根据JEDEC J- STA- 020A ）
4
2.5
mJ
V
V / ns的
27
W
°C
-55...+150
D- PAK
OTHERS
255
220
晶体管的反向二极管整流与按照同样的装置图C.与应用
相关的值
I
C
≤
1.5A,
C
缓冲器
= 1 NF和
R
G
≥
50Ω ， DV反向二极管/ dt为它的规范之内。
1
功率半导体
1
修订版1.2月-04
