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256MB，512MB ， 1GB，2GB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
DC特性
DC特性
表27 ：直流电流特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
VCC读
当前
随机读取
页面读取
VCC待机
当前
256Mb
512Mb
1Gb
2Gb
VCC编程/擦除/空白
检查电流
I
CC3
计划/
抹去
调节器
活跃
V
PP
/ WP ＃ = V
IL
或V
IH
V
PP
/ WP ＃ =
V
PPH
I
CC2
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
,
f
= 5兆赫
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
,
f
= 13 MHz的
CE＃ = V
CCQ
±0.2V,
RST ＃ = V
CCQ
±0.2V
民
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
I
PP2
I
PP3
I
PP4
RST ＃ = V
SS
±0.2V
V
PP
/ WP ＃ = 12V ± 5 ％
V
PP
/ WP ＃ = V
CC
V
PP
/ WP ＃ = 12V ± 5 ％
V
PP
/ WP ＃ = V
CC
–
–
–
–
–
典型值
–
–
26
12
65
70
75
150
35
35
0.2
2
0.2
0.05
0.05
0.05
0.05
最大
±1
±1
31
16
210
225
240
480
50
50
5
15
5
0.10
0.10
0.10
0.10
单位
A
A
mA
mA
A
A
A
A
mA
mA
A
A
A
mA
mA
mA
mA
2
笔记
1
V
PP
当前
读
待机
RESET
程序运行
不断的
擦除操作
不断的
注意事项：
I
PP1
V
PP
/ WP ＃
≤
V
CC
1.最大输入漏电流为± 5μA在V
PP
/ WP ＃引脚。
仅2采样;未经100％测试。
PDF ： 09005aef849b4b09
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