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E
3.2.4
28F200B5 ， 28F004 / 400B5 ， 28F800B5
“0”，擦除所有的位为“1 ”，并验证在所有的位
块被充分擦除。块擦除后
命令序列被发出，所述装置
自动进入读状态寄存器模式和
阅读时，输出状态寄存器的数据（见
图9）。擦除事件的完成
在状态寄存器位SR.7表示。
当擦除完成后，检查状态寄存器
位SR.5为一个错误标志（ “1”） 。一个失败的原因
可以在SR.3 ，表示“1” ，如果V发现
PP
是出于编程/擦除电压范围（V
PPH1
or
V
PPH2
） 。如果擦除设置（ 20H ）命令
发行而不是跟一个擦除确认（ D0H ）
命令，那么这两个程序状态（ SR.4 ）和
擦除状态（ SR.5）将被设置为“1”。
状态寄存器应前被清除
接下来的操作。由于该设备保持状态
寄存器读模式擦除完成后，一
命令必须发出切换到另一个
开始一个不同的操作之前的模式。
3.2.5.1
擦除挂起/恢复
这些比特数的操作（如累积
删除多个块或几种编程
在字节序列）可能之前进行
查询状态寄存器，以确定是否一个错误
该系列的过程中发生。
发出清除状态寄存器命令（ 50H ） ，以
清除状态寄存器。它独立功能
该应用的V
PP
电压和RP ＃可以是V
IH
or
V
HH
。此命令是不是块中的功能
擦除挂起模式。复位与RP ＃的一部分
同时清除状态寄存器。
字/字节编程
字或字节编程操作都通过执行
双周期指令序列。计划建立
（40H ）发出，然后由第二写入该
指定的地址和数据（锁存的
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到者为准） 。
在WSM然后接管，控制程序
并计划在内部验证算法。而
WSM工作时，设备会自动进入
读状态寄存器模式后仍然存在
字/字节的程序就完成了。 （参见图8） 。
节目活动的完成表示在
状态寄存器位SR.7 。
当一个字/字节的程序完成后，检查
状态寄存器的位SR.4为一个错误标志（ “1”） 。该
失败的原因可能在SR.3 ，发现其中
指示“1” ，如果V
PP
是出于程序/擦除
电压范围（Ⅴ
PPH1
或V
PPH2
） 。状态寄存器
下一个操作之前，应清除。该
内部WSM验证仅检测为“1”的错误
没有成功地写入“0” 。
由于该设备保持在状态寄存器中读取
编程模式后完成，命令
必须发出前切换到另一种模式
开始一个不同的操作。
3.2.5
块擦除
擦除挂起命令（ B0H ）的中断
擦除，以读取在另一个数据操作
块的内存。而在擦除过程中，
发出擦除挂起命令请求
在WSM暂停后擦除算法
一定的潜伏期。发出擦除后
暂停命令，写读状态寄存器
命令，然后选中位SR.7和SR.6保证
该装置是在擦除暂停模式（既将
被设置为“1”） 。这种检查是必要的，因为
WSM可能已经完成了的擦除操作
擦除挂起命令之前发出。如果
发生这种情况时，擦除挂起命令会
设备切换到读阵列模式。看
附录A进行了全面的图表显示
状态转换。
当擦除已经暂停，读阵列
命令（ FFH），可以写入从块读
比被暂停等。唯一的其他
此时有效的命令擦除恢复
（ D0H ）或读状态寄存器。
在擦除暂停模式下，芯片可以进入一个
伪待机采取CE＃为V模式
IH
，这
主动降低电流消耗。 V
PP
必须保持在
V
PPH1
或V
PPH2
（同一V
PP
级别用于块
擦除），而擦除暂停。 RP ＃还必须
保持在V
IH
或V
HH
（相同的RP ＃级别用于
块擦除） 。
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块擦除更改所有数据块1的
（FFFFH ），并通过一个双循环指令启动。
擦除设置命令（ 20H ）首次颁发，
随后的擦除确认命令（ D0H ）
随着对目标块中的一个地址。该
地址将在WE ＃的上升沿被锁存或
CE＃ ，以先到者为准。
在内部， WSM将程序块中的所有位
为“0 ”，验证所有位都被适当地编程，以
初步
