XTR101
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SBOS146A - 1986年10月 - 修订2004年8月
B.在上限值（T = + 150 ° C）
DR
+
R
牛逼150℃
*
R
4
+
156.4
*
109.4
+
47W
DV
CC
+
24 0.005
)
20毫安250W
)
100W
)
0.6V
+
7720mV
e
1
+
5.109V
e
2
+
2毫安2.5千瓦
)
1mA
+
5.156V
e
1
*
e
2
*
5V
+
0.1325V
2
s
O
+
6mA
s
1
+
30mV
)
150nA关47W
)
20nA 190W
)
7720mV
)
0.1325V
3.16 10
5
3.16 10
3
+
30mV
)
9.23mV
)
24mV
)
4.19mV
+
67.42mV
s
S
+
0.0001
e
IN
+
e
2
*
V
4
+
I
REF1
R
牛逼150℃
*
I
REF2
R
4
+
1mA
+
47mV
156.4W
*
1mA
109W
结论
较低的范围：
从等式10中，可以观察到的
主要的误差项的输入偏移电压（ 30μV为
在B级） 。这是无关紧要的许多
应用程序。 V
OS RTI
然而，可以使用被调零
在图5和图6所示曲线的结果是错误
的跨度为0.06 ％，而不是跨度为0.13 ％。
上限范围：
从式（11）时，主要的误差
我是
OS RTO
（ 6μA ） ，V
OS RTI
（ 30μV ） ，我
B
（ 150nA关） ，最大，
B级。这两个我
OS
和V
OS
可以调整到零;
然而，其结果是跨度为0.09 ％的误差，而不是
0.19 ％量程。
156.4W
推荐办理程序
对于集成电路
所有的半导体器件是脆弱的，在不同
度，从静电放电损坏
能量。这种损坏可能会导致性能
退化或失败，无论是直接的或潜在的问题。作为
一般的做法，建议采用以下处理
程序，以减少静电损坏的风险：
1.
取出静电产生的材料（如
未经处理的塑料），从该处理所有领域
微型电路。
地上所有的运营商，设备和工作站。
交通运输和船舶微电路，或产品
结合微型电路，在无静电，屏蔽
容器。
连接各设备的借助在一起的所有线索
的导电材料时，该设备不是
连接成一个回路。
控制相对湿度为一个值高达实际
（ 50 ％推荐） 。
I
O
错误
+
s
O
)
K
s
I
)
K
s
S
e
IN
+
6mA
)
0.34A V 67.42mV
)
0.34A V 0.0001 47000mV
+
6mA
)
22.92mA
)
1.60mA
+
30.52mA
30.52mA
误差（％）
+
100%
16mA
0.19 ％的量程上限范围值。
(11)
2.
3.
4.
5.
17
