T8xC51SND1
7.地址空间
该T8xC51SND1衍生品实现四种不同的地址空间：
程序/代码存储器
引导存储器
数据存储器
特殊功能寄存器（SFR ）
7.1代码存储器
该T89C51SND1和T83C51SND1实施64 KB的片上程序/代码
内存。该T83C51SND1产品提供了内部程序/代码存储器
ROM技术而T89C51SND1产品提供了在Flash技术。
Flash存储器电路中的电增加了EPROM和ROM功能
擦除和编程。由于内部电荷泵，高电压所需要
进行编程或擦除闪存单元是芯片上使用标准的产生VDD
电压。因此， T89C51SND1可以仅使用一个电压进行编程，并允许
在应用软件的编程俗称的IAP 。硬件编程
模式也可使用特定的编程工具。
7.2引导存储器
该T89C51SND1实现4 KB片上引导存储器FLASH中提供
技术。这种引导存储器在出厂时编程标准的引导装载程序
软件允许在系统编程俗称的ISP。它还包含
一些应用程序编程接口程序通常被称为API允许
用户开发自己的引导加载程序。
7.3数据存储器
该T89C51CC01衍生品实现2304字节的片上数据RAM中。此内存
被分为两个独立的区域：
256字节片内RAM的内存（标准C51内存） 。
2048字节的片上扩展RAM的内存（ ERAM通过MOVX访问
说明）。
7.4特殊功能寄存器
该T89C51CC01衍生物的特殊功能寄存器（SFR ）落入CAT-
egories详见表16 表这些特殊功能寄存器的32的相对地址
提供连同其复位后的值在表33中。在该表中，位寻址
寄存器确定注1 。
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