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8兆位闪存LPC
SST49LF080A
数据表
CE＃
在CE ＃引脚，启用和禁用SST49LF080A ，
控制读写器的访问。要启用
该SST49LF080A的CE＃引脚必须驱动为低电平1
时钟周期之前， LFRAME ＃被拉低。该装置
进入时，内部写操作待机模式
完成CE ＃为高电平。
无论TBL ＃和WP ＃引脚必须设置为自己需要的亲
tection状态开始编程或擦除操作之前，
化。在TBL ＃或WP ＃引脚产生一个逻辑电平的变化
编程或擦除操作可能会导致unpre-期间
预测的结果。
INIT ＃ ， RST ＃
A V
IL
在INIT ＃或RST ＃引脚启动设备复位。 INIT ＃
和RST ＃引脚内部具有相同的功能。这是
开车INIT ＃或RST ＃引脚为低电平，系统过程中需要
复位，以确保正确的CPU初始化。在读
操作时，驾驶INIT ＃或RST ＃引脚为低电平，取消选择
装置，并将输出驱动器， LAD [ 3：0] ，在高
阻抗状态。复位信号必须保持为低电平
读笔时间最少
RSTP
。复位延迟会发生，如果
编程或擦除过程中执行复位程序
操作。请参阅表17 ，复位时序参数
更多的信息。在激活程序的设备复位
或擦除操作会中止操作和内存内容可能
成为无效的，由于数据被涂改或损坏
一个不完整的擦除或编程操作。
LFRAME ＃
在LFRAME ＃表示一个（帧）的总线周期的开始或
不希望的周期的终止。断言LFRAME ＃
对于两个或更多个时钟周期，并且找到一个有效的START值
在LAD [ 3：0]将启动设备的操作。该设备将
输入时，内部操作的COM待机模式
完成并且LFRAME ＃为高电平。
TBL ＃ ， WP ＃
顶Boot锁定（ TBL ＃ ）和写保护（WP ＃ ）引脚
提供的设备的硬件写保护的MEM
ORY 。该TBL ＃引脚用于写保护16引导扇区
（ 64K字节），在最高的存储器地址范围的
SST49LF080A 。在WP ＃引脚写保护剩余的
扇区中的闪速存储器。
在TBL ＃引脚低电平有效的信号，可以防止程序和
删除前的引导扇区操作。当TBL ＃引脚
高举，上引导扇区的写保护显示
体健。在WP ＃引脚功能相同的
设备内存的剩余行业。该TBL ＃和
WP ＃引脚写保护功能，独立运作
的另一个。
表4：
地址H1
D
ECODING
R
ANGE
ID捆包
设备＃ 0 - 3
装置＃ 4 - 7
装置＃ 8 - 11
装置＃ 12 - 15
设备＃ 0
1
设备访问
内存访问
寄存器访问
内存访问
寄存器访问
内存访问
寄存器访问
内存访问
寄存器访问
内存访问
系统内存映射
的LPC接口协议具有32位地址长度或
4 GByte的。该SST49LF080A会在地址响应
如表4中所规定的范围。
请参阅“多设备选择”一节了解更多详细信息
在捆扎多SST49LF080A设备增加
在系统存储器中的密度和对“寄存器”节
有效的寄存器地址。
地址范围
FFFF FFFFH ： FFC0 0000H
FFBF FFFFH ： FF80 0000H
FF7F FFFFH ： FF40 0000H
FF3F FFFFH ： FF00 0000H
FEFF FFFFH ： 0000H FEC0
FEBF FFFFH ： FE80 0000H
FE7F FFFFH ： FE40 0000H
FE3F FFFFH ： FE00 0000H
000F FFFFH ： 0000H 000E
内存大小
4兆字节
4兆字节
4兆字节
4兆字节
4兆字节
4兆字节
4兆字节
4兆字节
128千字节
T4.0 1235
1.对于设备＃0 （引导设备） ， SST49LF080A解码顶端2的块（包括引导块）都在的物理地址
系统内存范围FFFF FFFFH到0000H FFFE和000F FFFFH到0000H 000E 。
2003硅存储技术公司
S71235-00-000
4/03
11
