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128MB ， 256MB ， 512MB无缓冲DIMM
DDR SDRAM
学家表3用于增加TDS和TDH中的情况下的I / O转换速率低于0.5伏/毫微秒。在I / O转换速率是基于较小
在AC AC转换速率和DC-DC转换速率中的较小者。该inut压摆率是基于的压摆率震慑较小
通过任一的VIH （交流）为VIL （交流）或VIH （DC）为VIL （ DC）时，同样地，对于上升的过渡开采。
。 DQS ， DM ，和DQ输入转换率规定为防止数据的双时钟和维护建立和保持时间。信号transi
通过DC地区的业必须是单调的。
修订版1.2月。 2003
