LT3791-1
应用信息
软启动
软启动降低了输入电源“浪涌电流
通过逐渐增加控制器的电流限制（亲
portional到内部缓冲钳位相当于
V
C
） 。软启动间隔由软启动电容设置
根据下面的等式选择
t
SS
=
1.2V
C
14A
SS
为了选择功率MOSFET ，功率显示
由设备sipated必须是已知的。对于开关M1的
最大功耗发生在升压操作，
当它仍保持在所有的时间。其最大功率显示
sipation在最大输出电流由下式给出：
I V
P
M1(BOOST)
=
LED OUT
ρ
T
R
DS （ ON）
V
IN
哪里
ρ
T
是归一化因子（统一在25℃下）
占显著变化的导通电阻
同的温度，通常为0.4 ％/℃ ，如图10 。
为125 ℃的最高结温，用
价值
ρ
T
= 1.5是合理的。
开关M2在降压操作操作作为同步
整流器器。其功率在最大输出电流耗散
由下式给出：
P
M2(BUCK)
=
V
IN
– V
OUT
I
LED2
ρ
T
R
DS （ ON）
V
IN
2
一个100K的电阻应置于SS和V之间
REF
为
该LT3791-1 。这100K的电阻也有助于多余的
SS充电电流。确保
SS
足够大时，
有在起动时加载。
环路补偿
该LT3791-1采用内部跨导误差
扩增fi er的V
C
输出补偿的控制回路。
外部电感，输出电容和补偿
化电阻和电容决定的环路稳定性。
所述电感器和输出电容器分别选择基于
性能，尺寸和成本。补偿电阻和
电容在V
C
被设置为最优化的控制回路的响应
和稳定性。对于典型应用，一个10nF的补偿
电容在V
C
是足够的，而应串联一个电阻
总是被用来增加在V的压摆率
C
销到
保持严格的输出电流的调节过程中的快速
瞬变的转换器的电源输入端。
功率MOSFET的选择和效率
注意事项
该LT3791-1需要四个外部N沟道功率
的MOSFET ，两个用于顶部开关（开关M1和M4 ，
在图1）和两个用于底部开关（开关示
M2和M3 ，如图1中所示） 。重要参数
功率MOSFET的击穿电压V
BR （ DSS ）
,
阈值电压V
GS （ TH）
，导通电阻，R
DS （ ON）
，反
传输电容，C
RSS
和最大电流，我
DS （ MAX）
.
的驱动电压由5V INTV设置
CC
供应量。 CON-
sequently ，逻辑电平阈值的MOSFET ，必须使用
在LT3791-1应用。如果输入电压预期
下降至低于5V ，然后再转逻辑阈值的MOSFET
应予以考虑。
开关M3在升压操作作为操作控制
开关。其功率在最大电流耗散为
由下式给出：
P
M3(BOOST)
=
(
V
OUT
– V
IN
)
V
OUT
I
V
IN
2
LED
2
ρ
T
R
DS （ ON）
+
K = V
OUT 3
I
LED
C
f
V
的RSS
其中C
RSS
通常由MOSFET指定制造
商。常数k ，其占所造成的损失
由反向恢复电流，反比于
栅极驱动电流，并且具有1.7的经验值。
对于开关M4 ，最大功耗情况
在升压操作中，当它的占空比高于
的50％。在最大输出其最大功率耗散
电流由下式给出：
V
P
M4(BOOST)
=
IN
V
OUT
I V
LED OUT
ρ
T
R
DS （ ON）
V
IN
2
对于相同的输出电压和电流，开关M1的有
最高功耗和开关M2具有低
EST功耗除非发生短路时的输出。
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