50A集成PowIRstage
特点
峰值效率高达94.5 ％，在1.2V
集成驱动器，控制MOSFET ，同步
MOSFET和肖特基二极管
输入电压（ VIN ）的工作范围可达15V
输出电压范围从0.25V到3.3V
50A的直流输出电流能力
运行在高达1.0MHz的
集成的电流检测放大器
VCC欠压锁定
热标志
车身制动负载瞬态支持
二极管仿真高效率模式
兼容3.3V PWM逻辑和VCC宽容
符合Intel的DrMOS V4.0
PCB尺寸与IR3550和IR3553兼容
高效的双面散热
小尺寸5mm x 6mm的X 0.9毫米PQFN封装
无铅符合RoHS的封装
IR3551
描述
该IR3551集成PowIRstage是一个同步降压
栅极驱动器共同填充有控制用MOSFET和一个
同步MOSFET集成肖特基二极管。这是
内部优化的PCB布局，传热和
驱动器/ MOSFET时机。定制设计的栅极驱动器和
MOSFET组合可实现更高的效率，更低的
通过切削刃CPU，GPU所需的输出电压和
DDR内存设计。
高达1.0MHz的开关频率允许高
性能的瞬态响应，允许小型化
输出电感器，以及输入和输出电容器的
同时保持行业领先的效率。该IR3551的
卓越的效率，使最小的尺寸和更低的解决方案
成本。该IR3551 PCB占位面积与兼容
IR3550 （ 60A ）和IR3553 （40A ） 。
集成电流检测放大器实现卓越
电流检测精度和信噪比与最佳企业
一流的基于控制器的电感器DCR感的方法。
该IR3551采用了车身Braking功能，
能够降低输出电容器。同步二极管
在IR3551仿真模式消除了零电流
从PWM控制器，并增加检测的负担
系统轻载效率。
该IR3551是为CPU核心供电进行了优化
交付服务器应用程序。以满足所述能力
在服务器市场也使得严格的要求
在IR3551非常适合GPU供电和DDR
内存设计和其他高电流的应用。
应用
电压调节器的CPU ，GPU和DDR
存储阵列
高电流，低轮廓的DC- DC转换器
基本应用
VCC
4.5V至7V
95
93
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
VCC
IR3551
91
VIN
VIN
4.5V至15V
效率（％）
89
87
85
83
81
79
BOOST
PHSFLT ＃
PWM
BBRK ＃
REFIN
IOUT
PHSFLT ＃
PWM
BBRK ＃
REFIN
IOUT
LGND
CSIN +
CSIN-
保护地
SW
VOUT
77
75
输出电流（A ）
图1 ： IR3551基本应用电路
图2 ：典型的IR3551高效&功率损耗
（见注2第8页）
1
2012年9月10日|最终数据表
功率损耗（ W）
