新产品
Si7655DN
Vishay Siliconix公司
P沟道20 V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ Ω ）最大。
0.0036在V
GS
= - 10 V
- 20
0.0048在V
GS
= - 4.5 V
0.0085在V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
- 40
e
- 40
e
- 40
e
72 NC
Q
g
（典型值）。
TrenchFET
功率MOSFET
低热阻的PowerPAK
与小尺寸和低0.75毫米套餐
廓
100 % R
g
和UIS测试
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
的PowerPAK 1212-8S
3.3 mm
S
应用
0.75 mm
3.3 mm
1
S
2
S
3
G
智能手机，平板电脑，手机
计算
- 电池开关
- 负荷开关
G
S
4
D
8
D
7
D
6
D
5
底部视图
D
订货信息：
Si7655DN -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
C，D
T
J
, T
英镑
P
D
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
- 20
± 12
- 40
e
- 40
e
- 31
A，B
- 25
A，B
- 100
- 40
e
- 4
A，B
- 20
20
57
36
4.8
A，B
3
A，B
- 50至150
260
°C
W
mJ
A
单位
V
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 10秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/doc?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8S是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
并不需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
。包装有限。
文档编号： 63617
S12-2393 -REV 。 B， 10月15日-12
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
