位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第507页 > ISL95820CRTZ > ISL95820CRTZ PDF资料 > ISL95820CRTZ PDF资料1第4页
ISL95820
引脚说明
针＃
底部
PAD
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
GND
VR_ON
PGOOD
IMON
VR_HOT ＃
NTC
COMP
FB
FB2
描述
常见的信号IC的。除非另有说明，信号被引用至GND焊盘。还应当用作
散热垫的散热。
控制器使能输入。该引脚上的高电平逻辑信号使控制器。
电源就绪漏极开路输出指示，当VR能够提供稳定的电压。拉外部连接到VDD或一
较低的电源，如3.3V 。
VR输出电流监视器。 IMON源成比例的电流调节器的输出电流。一个接地电阻
确定IMON电压的输出电流的缩放。
开漏热过载输出指示灯。部分与CPU的通信总线。
该热敏电阻输入以VR_HOT ＃电路。用它来监控VR温度。
该引脚为VR的误差放大器的输出端。它提供了误差放大器反馈补偿网络。
该引脚为VR的误差放大器的反相输入端。一个DAC衍生电压等于VID参考电压
内部连接到非反相误差放大器的输入。
有FB引脚和FB2引脚之间的内部开关。开关断开（打开）时， VR是在单相模式，并且是
（关闭） ，否则。连接到FB2的组件用于调节在1相模式的补偿，以实现
最佳性能的VR 。
有引脚FB和FB 3之间的内部开关。该开关将打开（关闭）的下垂模式（当
可编程输出使能直流负载线操作），关（开）时，选择无差模式。其目的是
以包括与所述固定下垂电阻器时下垂是有源并联的电阻器，并且当下垂来隔离电阻
处于非活动状态。此并联电阻增大了补偿器的开环增益，而下垂是活动的。有效
下垂（输出直流负载线）编程性这两个电阻的并联组合。
个人电流感应Phase4 。当ISEN4被上拉至VDD （5V ）时，控制器将关闭VR相4.本
信号用来监视和正确相电流不平衡。
个人电流感应进行三期。当ISEN4和ISEN3被上拉至VDD （5V ）时，控制器将关闭VR相
4和3。不要禁用三期还没有禁用第4阶段，这个信号被用于监视和纠正阶段
电流不平衡。
单个电流检测阶段2当ISEN4 ， ISEN3和ISEN2被上拉至VDD （5V）时，控制器将关闭
VR的阶段4,3和2。不要禁用阶段2不同时禁用阶段3和4中，这个信号被用于监控
和纠正相电流不平衡。
单个电流检测为阶段1 ，这个信号被用于监测和纠正相电流不平衡。
远程地（返程）电压检测。部分差分远端电压VR感网络。
VR下垂电流检测输入。
+ 5V偏置电源。
第一阶段内部栅极驱动高侧MOSFET自举电容连接。连接之间的MLCC电容
BOOT1和相位缓冲销。启动电容通过从VCCP引脚连接一个内部自举二极管充电
到BOOT1引脚每次PHASE1引脚低于VCCP值与内部自举二极管的电压降。
电流返回路径的第1阶段的高边MOSFET栅极驱动器。相位缓冲引脚连接到包含的节点
高侧MOSFET的源极，所述低侧MOSFET的漏极，以及相位1的输出电感器。
输出相位1高边MOSFET栅极驱动器。在UGATE1引脚连接到第1阶段的高边MOSFET的栅极。
输出相位1低边MOSFET栅极驱动器。在LGATE1引脚连接到第1阶段的低边MOSFET的栅极。
第2阶段的内部栅极驱动高侧MOSFET自举电容连接。连接之间的MLCC电容
BOOT2和PHASE2引脚。启动电容通过从VCCP引脚连接一个内部自举二极管充电
到BOOT2销，每次PHASE2销低于VCCP值与内部引导二极管的电压降。
电流返回路径的第2阶段的高边MOSFET栅极驱动器。在PHASE2引脚连接到包含的节点
高边MOSFET的源极，低边MOSFET的漏极和第2阶段的输出电感。
输出相位2高边MOSFET栅极驱动器。在UGATE2引脚连接到第2阶段的高边MOSFET的栅极。
输入电压偏置的内部栅极驱动器。连接+ 5V或+ 12V为VCCP引脚。去耦的至少1μF
MLCC电容。二极管仿真模式必须被禁止（使用PROG2引脚电阻）为+ 5V驱动程序的操作。
9
FB3
10
11
ISEN4
ISEN3
12
ISEN2
13
14
15, 16
17
18
ISEN1
RTN
ISUMN和
ISUMP
VDD
BOOT1
19
20
21
22
PHASE1
UGATE1
LGATE1
BOOT2
23
24
25
PHASE2
UGATE2
VCCP
4
FN8318.0
2013年2月4日
