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ISL95820
3案件（只电感电流三角形之间的时间
变化） 。该控制器钳位电容的纹波电压V
CRS
in
DEM使其模仿电感电流。它采用COMP
电压不再打V
CRM
，产生的主时钟脉冲
自然拉伸该开关周期。电感电流
三角形相互移得更远，使得所述
电感器电流的平均值等于负载电流。该
降低开关频率提高了轻负载时的效率。
因为在下一个时钟脉冲出现在V
COMP
（追踪
上述V输出电压误差）上升
CRM
， DEM开关脉冲
频率响应的方式加载瞬态事件
类似的多相CCM操作。
CCM / DCM边界
VW
VCRS
操作模式
操作表1. VR模式
OCP
门槛
(A)
60
30
20
ISEN4
ISEN3
ISEN2
CONFIG 。
4-phase
CPU VR
CONFIG 。
PS
0
1
2
3
模式
4-phase
CCM
2-phase
CCM
1-phase
OPT ： DEM
或CCM
3-phase
CCM
2-phase
CCM
1-phase
OPT ： DEM
或CCM
2-phase
CCM
1-phase
CCM
1-phase
OPT ： DEM
或CCM
1-phase
CCM
1-phase
OPT ： DEM
或CCM
以电力为动力要
舞台
舞台
动力
舞台
绑
5V
3-phase
CPU VR
CONFIG 。
0
1
2
60
40
20
IL
VW
VCRS
LIGHT DCM
3
绑
5V
2-phase
CPU VR
CONFIG 。
0
1
2
深DCM
VW
60
30
IL
3
绑
5V
1-phase
CPU VR
CONFIG 。
0
1
2
3
VCRS
60
IL
图10期STRETCHING
自适应体二极管导通时间
减少
当在DCM中，控制器理想地关闭低边
的MOSFET时，电感电流趋近于零。中
导通时间的低侧MOSFET的，相电压为负的
的（负） ，电感电流和低侧的产物
MOSFET
DS （ ON）
，产生的电压降正比于
电感器电流。控制器内部的相位比较器
在低侧的导通时间监视相电压
MOSFET和将其与一个阈值来确定
零交叉点的电感电流。若电感器电流
还没有达到零的时候低边MOSFET关断时，它会
流过低压侧MOSFET的体二极管，导致相
节点具有较大的电压下降，直到它衰减到零。如果
电感电流已经跨越零和扭转方向
当低边MOSFET关断时，它会流过
高侧MOSFET的体二极管，导致相位节点具有
正电压尖峰（以V
IN
加PN二极管压降），直到
电流衰减到零。该控制器将继续监控
关闭低侧MOSFET后的相电压和
调整相位比较器的阈值电压相应地在
迭代步骤，使得所述低侧MOSFET的体二极管
进行大约为40ns （在关闭之前为40ns的
电感电流过零）到主体最小化
二极管相关的损失。
15
虚拟现实可以被配置为4- ，3- ，2-，或1相操作。表1
显示VR配置和操作模式，编程
由ISEN4 ， ISEN3和ISEN2引脚状态，并设置PS
命令。对于3相配置，扎ISEN4引脚连接到5V 。
在这种结构中，相位1，2，和3中被激活。对于
2相配置，扎ISEN3和ISEN4脚到5V 。在这
配置，相1和2是活动的。为1相
配置，领带ISEN4 ， ISEN3和ISEN2脚到5V 。在这
配置中，仅1阶段是有效的。
在四相结构，虚拟现实操作中PS0 4相的CCM 。
进入两相CCM模式中的PS1通过丢弃阶段4和3
并降低了过电流保护电平到初始的1/2的
值。进入1相数字高程模型（可选CCM）在PS2和PS3用
下降阶段4 ，图3和2中，并降低了过电流
保护级别为初始值的1/4。
在3相配置，虚拟现实操作中PS0 3相的CCM 。
（第4阶段被禁用） 。进入两相CCM模式中的PS1通过
下降阶段3 ，降低了过电流保护水平
2/3的初始值。进入1相数字高程模型（可选CCM ）的
PS2和PS3的滴加阶段3和2 ，并降低了
过电流和保护级别为初始值的1/3。
在2相的配置，虚拟现实操作中PS0 2相的CCM 。
（阶段4和3是禁用的。 ）它进入1相模式在PS1 ，
PS2，和PS3通过删除相位2和减少过电流
FN8318.0
2013年2月4日
