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OP215
特定网络阳离子
电气特性
参数
输入失调电压
平均输入失调
电压漂移
如果没有外部调整
1
随着外部饰件
输入失调电流
2
符号
V
OS
(在V
S
=
±15
V, 0℃
另有说明)。
T
A
70 ℃, E级, -40℃
OP215E
TYPE
0.4
T
A
85 ℃, G级,除非
OP215G
TYPE
最大
3.5
8.0
条件
R
S
= 50
W
最大
1.65
单位
mV
TCV
OS
TCV
OSN
I
OS
R
P
= 100千瓦
T
j
= 70∞C
T
A
= 70∞C
设备运行
T
j
= 70∞C
T
A
= 70∞C
设备运行
10.2
–10.2
V
CM
=
±
IVR
V
S
=
±
10 V至
±
16 V
V
S
=
±
10 V至
±
15 V
R
L
2千瓦
V
O
=
±
10 V
R
L
10千瓦
50
±
12
80
3
3
0.06
0.08
±
0.12
±
0.16
14.7
–11.4
98
13
180
±
13
15
0.45
0.80
±
0.70
±
1.40
10.1
–10.1
76
100
6
4
0.08
0.10
±
0.14
±
0.19
14.7
–11.3
94
0.65
1.2
±
0.9
±
1.8
V /°C的
V /°C的
nA
nA
nA
nA
V
V
dB
输入偏置电流
2
I
S
输入电压范围
共模
抑制比
电源抑制
大信号
电压增益
输出电压摆幅
IVR
CMRR
PSRR
A
VO
V
O
20
35
±
12
130
±
13
159
V/V
V / MV
V
笔记
1
样品测试。
2
输入偏置电流被指定为两种不同的条件。经t
j
= 25∞C规范是与结点在环境温度下在设备操作规范是
与在25∞C周围一个回暖状态的设备操作。将温热的偏置电流值通过曲线相关联的结温值
S
与牛逼
j
S
与牛逼
A
。 PMI的具有偏置电流补偿电路,它给出改进的偏置电流和偏置电流的温度与标准
JFET输入运算放大器。我
S
OS
在V测量
CM
= 0.
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
–3–

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