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SN65HVD82
www.ti.com
SLLSED6 - 2012年10月
热信息
SN65HVD82
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
(2)
(1)
SOIC封装
(D)
116.1
60.8
57.1
13.9
56.5
NA
单位
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳(底部)热阻
° C / W
间隔
(1)
(2)
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度,如在JESD51-8说明。
推荐工作条件
V
CC
V
I
V
IH
V
IL
V
ID
I
O
R
L
C
L
1/t
UI
T
A
T
J
(1)
电源电压
输入电压在任何总线终端(单独或共模)
(1)
高电平输入电压(D , DE和RE输入)
低电平输入电压(D , DE和RE输入)
差分输入电压(A和B输入端)
输出电流,驱动器
输出电流,接收器
差分负载电阻
差分负载电容
信令速率
工作自由空气的温度(见热信息应用部分)
结温
–40
–40
4.5
–7
2
0
–12
–60
–8
54
60
50
250
85
150
5
最大
5.5
12
VCC
0.8
12
60
8
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
Ω
pF
Kbps的
°C
°C
代数约定,其中,所述至少阳性(最负)限制被指定为最小的用于该数据片。
版权所有2012,德州仪器
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SN65HVD82
3

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