位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第840页 > IRFSL7437PBF > IRFSL7437PBF PDF资料 > IRFSL7437PBF PDF资料1第1页
应用
l
有刷电机驱动应用
l
BLDC电机驱动应用
l
电池供电的电路
l
半桥和全桥拓扑结构
l
同步整流应用
l
谐振式电源
l
OR- ING和冗余电源开关
l
DC / DC和AC / DC转换
l
DC / AC逆变器
StrongIRFET ？
IRFS7437PbF
IRFSL7437PbF
HEXFET
功率MOSFET
D
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
D
D
40V
1.4mΩ
1.8mΩ
250A
195A
c
好处
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
l
LEAD -FREE
l
无卤
G
S
G
G
D
S
D
2
PAK
IRFS7437PbF
TO-262
IRFSL7437PbF
D
S
门
漏
来源
完整型号
数
IRFSL7437PbF
IRFS7437PbF
IRFS7437TRLPbF
订购信息
基本零件编号
IRFSL7437PbF
IRFS7437PbF
IRFS7437PbF
套餐类型
TO-262
D2Pak
D2Pak
标准包装
形式
管
管
磁带和卷轴左
QUANTITY
50
50
800
(
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻米
Ω)
6
250
ID = 100A
5
不限按包
200
ID ，漏电流（ A）
4
150
3
TJ = 125°C
100
2
1
TJ = 25°C
50
0
4.0
6.0
8.0
10.0 12.0 14.0 16.0 18.0 20.0
0
25
50
75
100
125
150
175
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TC ，外壳温度（ ° C）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
图2 。
最大漏极电流与外壳温度
www.irf.com
1
2012年9月6日
