BZD27C3V6P到BZD27C200P
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
P
RSM
-max 。脉冲功率耗散（ W）
10.00
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
V
ZNOM
- 齐纳电压（V ）
I
F
- 正向电流（ A）
（典型值） 。 V
F
最大。 V
F
1.00
0.10
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6
17411
V
F
- 正向电压（ V）
17414
图1.正向电流与正向电压
图4.最大脉冲功率耗散与齐纳电压
C
D
- 典型。结电容（pF ）
10000
C5V1P
1000
C6V8P
C12P
C18P
I
RSM
(%)
100
90
t
1
= 10
s
t
2
= 1000
s
100
C27P
C200P
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
R
- 反向电压（ V）
3.0
C51P
50
10
t
1
17415
10
t
t
2
17412
图2.典型。二极管电容与反向电压
图5.非重复性峰值反向电流脉冲的定义
3.0
P - 功率耗散（ W）
合计
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
连接点的温度
环境温度
25
50
75
100
125
150
17413
T
AMB
- 环境温度（ ℃）
图3.功耗与环境温度
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文档编号85810
修订版1.8 ， 13 -APR- 05
