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静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS
RA07H4047M
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率和漏电流
与漏极电压
18
输出功率P
OUT
(W)
15
12
9
6
3
0
4
6
8
10
12
漏极电压V
DD
(V)
14
I
DD
P
OUT
输出功率和漏电流
与漏极电压
6
5
漏电流I
DD
(A)
4
3
2
1
0
输出功率P
OUT
(W)
18
15
12
9
6
3
0
4
6
8
10
12
漏极电压V
DD
(V)
14
I
DD
P
OUT
f=470MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
= 20米W
4
3
2
1
0
输出功率和漏电流
与栅极电压
16
输出功率P
OUT
(W)
14
12
10
8
6
4
2
0
2
2.5
3
3.5
栅极电压V
GG
(V)
4
I
DD
f=400MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
= 20米W
P
OUT
输出功率和漏电流
与栅极电压
8
输出功率P
OUT
(W)
7
漏电流I
DD
(A)
6
5
4
3
2
1
0
16
14
12
10
8
6
I
DD
f=430MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
= 20米W
P
OUT
8
7
漏电流I
DD
(A)
漏电流I
DD
(A)
6
5
4
3
2
1
0
2
2.5
3
3.5
栅极电压V
GG
(V)
4
4
2
0
输出功率和漏电流
与栅极电压
16
输出功率P
OUT
(W)
14
12
10
8
6
4
2
0
2
2.5
3
3.5
栅极电压V
GG
(V)
4
I
DD
f=450MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
= 20米W
P
OUT
输出功率和漏电流
与栅极电压
8
输出功率P
OUT
(W)
7
漏电流I
DD
(A)
6
5
4
3
2
1
0
16
14
12
10
8
6
I
DD
f=470MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
= 20米W
P
OUT
8
7
6
5
4
3
2
1
0
2
2.5
3
3.5
栅极电压V
GG
(V)
4
4
2
0
RA07H4047M
漏电流I
DD
(A)
f=450MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
= 20米W
6
5
2010年6月28日
4/9
