LTM4641
应用信息-电源特点
要实现自定义UVLO下降上方设置了
在图4中差曲线（也参见图11）。
LT3010-5示于图47 ，以提供偏置为V
INL
,
让穿越的80V瞬态的V
IN
。 UVLO
检测的V
IN
实现在本实施例中由D2作成
为V的放电路径
INL
V中的丢失的情况下
IN
.
V
INH
和V
INL
有没有具体的断电排序
的要求，仅使V
INL
应保持高于3.5V当时─
以往V
INH
高于3.5V 。
V
INL
和V
INH
测序是通过本质上解决
LTM4641在图45和图46的电路。
在V
IN
和V
INL
的启动和关断波形
在图47的电路，但是用1Ω输出负载和TMR
绑INTV
CC
在图2的效果-are所示
定时电容，C
TMR
，通常会产生一个上电
复位（POR）延时启动时可通过将TMR来否定
INTV
CC
。在 3ms的V
IN
-to -V
OUT
启动见于延迟时间
图2是由于LTM4641的故障监测，POR
电路和软启动斜坡（C
SS
).
V
IN
5V/DIV
V
INL
5V/DIV
V
OUT
500mV/DIV
2ms/DIV
4641 F02
方案。在负载瞬变升压，控制
循环会获得更高的电感槽电流
补偿输出电压的不足;有效
开关频率将增加，直到输出电压
恢复正常（过流事件，尽管） 。
在负载瞬态期间降压，控制环路将
指挥较低的电感槽电流来补偿
对于过量的输出电压;有效开关
频率将减小，直到输出电压返回到
正常。控制回路感知电感电流检测
经由跨越出现的电压信号中的信息
同步功率MOSFET ，男
BOT
当M
BOT
是
（这就是通常所说的在行业的R
DS （ ON）
电流检测） 。
单触发定时器，因此功率的导通时间
控制MOSFET ，男
顶部
， -is考虑，以秒，以单位：
t
ON
=
0.7V 10pF的
I
离子
(1)
在那里我
离子
在安培为单位。对于输出电压
大于3V，并用于非轨跟踪应用，
没有外部R
FSET
电阻是必要的，并且我
离子
当前
（单位：安培）仅仅设置了V
INL
电压（单位：
伏）和内部1.3MΩ V
INL
-to -F
SET
电阻：
I
离子
=
V
INL
1.3M
(2)
图图2.启动和关断波形
47电路。 TMR绑INTV
CC
要突出V
IN
和V
INL
排序没有POR延迟。 1Ω负载
的LTM4641的操作的开关频率的
在满负荷在这种情况下的降压转换器功率级
给出，单位为Hz ，通过：
f
SW
=
V
OUT
0.7V 1.3MΩ 10pF的
(3)
开关频率（时间）选择和电压
退学标准（达到的V
IN
-to -V
OUT
降压
比）
该LTM4641控制器采用电流模式恒定
接通时间架构，其中COMP电压corre-
sponds到波谷电感电流在其内部
高侧功率MOSFET （M
顶部
）由指令上
该控制环路的持续时间成比例的，以
控制器的I
ON
引脚电流（请参阅图1 ） 。规
通过脉冲频率调制保持（ PFM）的
其中，V
OUT
是所期望的标称输出电压，在单元的
伏。
一个外部R
FSET
电阻器可设置V时，可以应用
OUT
大于3V，如果需要的话，以获得增加的开关
频率。通常情况下，增加开关频率来
从降低输出电压纹波和/或输出的欲望
电容的要求，但是在一个适度的处罚
的DC / DC转换效率。有一些限制
到多么低的R
FSET
值可以在实践中，由于施加
4641f
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