产品简介
特点
650V的SiC的thinQ ！ 第5代二极管
用自己的方式为我们的方式：提高效率和解决方案成本
THINQ ！ 第五代代表英飞凌领先的技术优势为
SiC肖特基势垒二极管。英飞凌专利的扩散焊接
的过程中，已经引入了G3，现在结合一个新的，更
紧凑的设计和薄晶圆技术。其结果是一个新的家庭
产品展示更高的效率在所有负载条件下，来自哪里
既提高了热性能和优异的低数字（Q
c
X V
f
).
新的thinQ ！ 第五代的设计是为了补充我们的650V
的CoolMOS 家族：这可确保满足最严格的应用
要求在此电压范围内。
98.5
V
br
在650V
优异的改进图（Q
c
X V
f
)
没有反向恢复电荷
软开关逆
恢复波形
温度独立
交换行为
高的工作温度
(T
j max的情况
175°C)
改进的浪涌能力
无铅引线电镀
10年制造的SiC二极管
好处
对较高的安全边际
过电压;与最佳匹配
的CoolMOS 650V产品
在所有提高效率
负载条件
提高效率相比，
硅二极管的替代品
减少电磁干扰比较迅捷
硅二极管的反向恢复
波形
高稳定开关性能
减少冷却要求
热失控的风险降低
符合RoHS
高品质的知识和能力
在碳化硅二极管制造
a)
效率[ ％ ]
98.0
97.5
第5代
第3代
第2代
97.0
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
输出功率[ ％标称]
0.15
0.10
效率迪erence [ ％ ]
0.05
0.00
- 0.05
- 0.10
b)
第5代
第3代
第2代
实验结果
三者之间的效率比较
IFX代8A碳化硅二极管
a）绝对价值
b）上述的thinQ ！ 5代
（ CCM PFC ，高线，噘最大值= 1800瓦，
f
SW
= 65千赫，T
HS
=60°C,
MOSFET ： IPW60R075CP ）
应用
电信/服务器SMPS
太阳能/ UPS
PC Silverbox
LED / LCD电视
电机驱动
HID照明
- 0.15
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
输出功率[ ％标称]
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