NCV8460A
5V
+
V
D
STAT
输入
V
OUT
GND
负载
电池反接
保护
R
GND
D
GND
图31.应用框图
反向电池保护
通过外接电阻R
GND
是必需的，以充分
防止反向电池事件的设备。电阻
值可以使用下面的两个公式来计算。
1. R
GND
≥
600毫伏/ （I
d
（上）最大）
2. R
GND
≥
(-V
D
) / (-I
GND
)
最大（ -I
GND ）
电流，这是相反的GND端子
目前，可以在最大额定值部分。
几个高端设备可以共享相同的反向
电池保护电阻。请注意， （Ⅰ的总和
d
所有设备的（上）最大）应该用于计算R
GND
值。如果微处理器地面不常见的
设备接地，R
GND
将产生的电压偏移（ （我
d
（上）
最大）个R
GND
)
相对于所述中和STAT引脚。
这个偏移量会增加，当一个以上的设备
分享电阻。
在反向电池事件功耗等于
要：
P
D
+ *
V
D
2
R
GND
在高功率耗散由于几个的情况下
设备共享
GND
时，建议设置一个二极管
D
GND
在接地路径作为备用电池反向
保护方法。当驱动感性负载时，一个1千瓦
电阻器应放置在平行用D
GND
二极管。
这种方法也将产生一个电压600毫伏的偏移
相对于所述中和STAT引脚。该二极管也可以是
其中包括几个高端的设备共享。该电压
胶印当D会有所不同
GND
是由多个设备共享。
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