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TMS470R1VF55BA
16位/ 32位RISC闪存微控制器
SPNS087A - 2003年8月 - 修订2004年8月
Flash读
该VF55BA闪存是可配置的由SYS模块要的范围内处理的
0x0000_0000处，以0xFFE0_0000 。闪存是针对通过内存选择0和1 。
注意：快闪外部泵电压（V
CCP
）所需的所有操作（编程，擦除和读取） 。
闪存管道模式
当在管道模式，闪光灯具有高达60MHz的系统时钟频率进行操作（相对于系统
在高达24 MHz的正常模式时钟） 。闪光灯在管道模式是能够访问的64位字，并提供
两个32位流水线字给CPU。另外，在管道模式，闪光灯可以读取无等待状态时，
存储器的地址是连续的（在初始1-或2-等待状态读取之后）。
注：在系统复位后，管道模式
残
（ ENPIPE位[ FMREGOPT.0 ]为"0" ） 。换句话说，
该VF55BA设备通电并在复位非管道模式。此外，设置闪光
配置模式位（ GLBCTRL.4 ）将覆盖管道模式。
Flash编程和擦除
该VF55BA设备闪存包含三个256K字节的存储器阵列（或银行） ，总共768K字节的闪存
它由18扇区。这些18扇区的大小如下：
表3. VF55BA闪存和银行部门
扇形
号
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
2
3
0
1
2
3
段
16K字节
16K字节
32K字节
32K字节
32K字节
32K字节
32K字节
32K字节
16K字节
16K字节
64K字节
64K字节
64K字节
64K字节
64K字节
64K字节
64K字节
64K字节
低地址
0x0000_0000
0x0000_4000
0x0000_8000
0x0001_0000
0x0001_8000
0x0002_0000
0x0002_8000
0x0003_0000
0x0003_8000
0x0003_C000
0x0004_0000
0x0005_0000
0x0006_0000
0x0007_0000
0x0008_0000
0x0009_0000
0x000A_0000
0x000B_0000
高地址
0x0000_3FFF
0x0000_7FFF
0x0000_FFFF
0x0001_7FFF
0x0001_FFFF
0x0002_7FFF
0x0002_FFFF
0x0003_7FFF
0x0003_BFFF
0x0003_FFFF
0x0004_FFFF
0x0005_FFFF
0x0006_FFFF
0x0007_FFFF
0x0008_FFFF
0x0009_FFFF
0x000A_FFFF
0x000B_FFFF
BANK2
（ 256K字节）
BANK1
（ 256K字节）
BANK0
（ 256K字节）
存储阵列
（或银行）
对于擦除操作的最小尺寸是一个扇区。用于在编程操作的最大尺寸为1
16位的字。
注意：快闪外部泵电压（V
CCP
）所需的所有操作（编程，擦除和读取） 。
关于闪存编程和擦除操作的更多详细信息，请参阅
TMS470R1x F05闪存为参考
ENCE指南
（文献编号SPNU213 ） 。
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邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
