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SN74CB3T3306
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SCDS119B - 2003年1月 - 修订2012年8月
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
V
G(1)
控制
电路
B
EN
(2)
（ 1 ）栅极电压（V
G
）近似等于V
CC
+ V
T
当开关处于ON
和V
I
＆ GT ;
V
CC
+ V
T
.
（2 ）CN是施加到开关内部的使能信号。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
I / O
电源电压范围
(2)
(2) (3)
(3) (4)
最大
7
7
7
–50
–50
±128
±100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
–0.5
–0.5
–0.5
V
IN
＆ LT ; 0
V
I / O
＆ LT ; 0
(5)
控制输入电压范围
开关I / O电压范围
(2)
控制输入钳位电流
I / O端口钳位电流
ON状态的开关电流
连续电流通过V
CC
或GND
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
封装的热阻抗
(6)
存储温度范围
DCT包
DCU包装
–65
220
227
150
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
–40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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