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电气规格
5.8
存储器和并行I / O接口的时序
外部存储器读取可连续或不连续模式下的控制下进行
在BSCR CONSEC位。表5-8和表5-9假设检验在推荐工作条件
与MSTRB = 0和H = 0.5吨
C（ CO）
（见图5-5和图5-6 ） 。
表5-8 。存储器读时序要求
5416-160
民
最大
4H9
2H9
7
0
单位
ns
ns
ns
ns
5.8.1存储器读
ta(A)M1
ta(A)M2
访问时间，读取地址数据访问有效，先读访问
访问时间，读取地址有效的数据访问，连续读访问
TSU （D ）R
建立时间，在CLKOUT低读取数据有效
日（D ）R
保持时间，读取数据有效后CLKOUT低
地址，读/写，PS ，DS和IS定时都包含在作为地址引用的定时。
表5-9 。内存读取开关特性
5416-160
参数
TD （ CLKL -A ）
TD （ CLKL - MSL ）
延迟时间， CLKOUT低到地址有效
延迟时间， CLKOUT低到MSTRB低
民
1
1
0
最大
4
4
4
单位
ns
ns
ns
TD （ CLKL - MSH ）延迟时间， CLKOUT低到高MSTRB
地址，读/写，PS ，DS和IS定时都包含在作为地址引用的定时。
CLKOUT
TD （ CLKL -A ）
A[22:0]
TD （ CLKL - MSL ）
TD （ CLKL - MSH ）
ta(A)M1
D[15:0]
TSU （D ）R
日（D ）R
MSTRB
R / W
PS / DS
地址，读/写，PS ，DS和IS定时都包含在作为地址引用的定时。
图5-5 。非连续模式内存读取
50
SGUS048
2003年7月
