MSP430F532x
SLAS678C
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2010年8月
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经修订的2011年11月
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LDO - PWR （ LDO电源系统）
在推荐的电源电压和工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
发射
V
LDOI
V
LDO
V
LDO_EXT
I
LDOO
I
DET
C
LDOI
C
LDOO
t
启用
(1)
LDO的输入检测阈值
LDO的输入电压
LDO输出电压
LDOO端子输入电压LDO禁用
从LDOO终端最大外部电流
LDO电流过载检测
(1)
测试条件
民
3.76
典型值
最大
3.75
5.5
单位
V
V
V
V
mA
mA
F
nF
3.3
LDO禁用
LDO是
60
4.7
220
在2％以内，推荐
电容
1.8
±9%
3.6
20
100
LDOI终端电容推荐
LDOO终端电容推荐
建立时间V
LDO
2
ms
当来自LDO供给的总电流超过该值的电流过载检测。
FL灰内存
在推荐的电源电压和工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
DV
CC （ PGM / ERASE ）
编程和擦除电压
I
PGM
I
抹去
I
MERASE
, I
银行
t
CPT
t
保留
t
字
t
块，
t
块，
t
块，
t
抹去
f
MCLK ， MGR
(1)
(2)
0
1–(N–1)
N
TEST
条件
民
1.8
典型值
最大
3.6
单位
V
mA
mA
mA
ms
周期
岁月
从DVCC平均电源电流中的程序
从DVCC平均电源电流擦除过程
从DVCC平均电源电流整体擦除或银行时
抹去
累计编程时间
编程/擦除次数
数据保存时间
字或字节编程时间
块编程时间第一个字节或字
阻止程序时，每增加一个字节或字，除了最后一个
字节或字
块编程时间最后一个字节或字
擦除时间段，整体擦除，和银行擦除（当
提供）
MCLK频率边际阅读模式
（ FCTL4.MGR0 = 1或FCTL4 。 MGR1 = 1）
T
J
= 25°C
SEE
SEE
SEE
SEE
SEE
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
3
5
2
2
SEE
(1)
16
10
4
10
5
100
64
49
37
55
23
0
85
65
49
73
32
1
s
s
s
s
ms
兆赫
写入128个字节的闪存块当累积节目时间不得超过。此参数适用于所有的编程
方法：个别字/字节写和块写入模式。
这些数值硬连接至闪存控制器的状态机。
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2010-2011年，德州仪器
