新产品
SiSA10DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.010
0.008
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
-
来源
电流（A ）
T
J
= 150
°C
I
D
= 10 A
0.006
T
J
= 125
°C
0.004
T
J
= 25
°C
0.002
1
T
J
= 25
°C
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
1.2
0.000
0
2
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
10
源极 - 漏极二极管正向电压
2.1
80
导通电阻与栅极至源极电压
1.9
60
1.7
功率（W）的
V
GS （ TH）
(V)
1.5
I
D
= 250 μA
1.3
40
20
1.1
0.9
- 50
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（℃ ）
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
阈值电压
1000
限于由R
DS （ ON）
*
100
I
D
- 漏电流（ A）
单脉冲功率，结到环境
10
100 μs
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
1
0.1
T
A
= 25
°C
BVDSS有限公司
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
100
安全工作区
www.vishay.com
4
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pmostechsupport@vishay.com
文档编号： 63819
S12-0806 -REV 。 A， 16 -APR- 12
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