解决方案的高压应用
高电压绝缘可靠性
在小尺寸
实现可靠和高绝缘电压以及高抗噪性
高功率工业应用飞兆半导体的FOD8320和FOD8321 ，
先进的2.5A输出电流栅极驱动光耦合器。利用飞兆半导体的
OPTOPLANAR
包装技术和优化的IC设计，两个设备
都装在一个宽体5引脚小外形封装。该FOD8320
提供了一个紧凑，同时允许一个爬电距离和间隙
距离大于10mm的和内部的绝缘距离
0.5mm左右。该FOD8321是谁的客户不需要另
10mm的爬电距离和间隙距离，但需要小的外形尺寸。
这两款器件提供了一个扩展的工业温度范围
（-40 ℃至100 ℃），非常适合用于功率IGBT的快速切换和
工业逆变器应用中MOSFET 。
优势
10毫米最小爬电距离和
clearance distance (FOD8320)
8毫米最小爬电距离和
clearance distance (FOD8321)
使用P沟道MOSFET
在输出级使输出
电压摆幅接近
电源轨
开关速度快，在整个
工作温度范围
400ns max. propagation
delay (FOD8320)
100ns max. pulse wide
distortion (FOD8320)
欠压锁定
（ UVLO ）与迟滞
扩展工业
温带的范围：
–40°C to 100°C
阳极
1
6
V
DD
5
V
O
阴极
3
4
V
SS
应用
交流和无刷
直流电机驱动
工业逆变器
不间断电源
供应（ UPS）等
感应加热
隔离式IGBT /功率
MOSFET栅极驱动器
FOD8320
FOD8321
产品
数
可靠的高压绝缘
在宽体， SO5封装
闵峰
负载
当前
(A)
2.5
2.5
工作
电压
(V)
最大
1,414
1,414
CMH
CML
（ V / μs）内
民
35,000
20,000
T
PLH
/ T
PHL
（纳秒）
最大
400
500
PWD
（纳秒）
最大
100
300
V
ISO
(V)
民
5000
5000
操作
TEMP （℃）
-40 ° C至
100°C
-40 ° C至
100°C
包
TYPE
宽体
SO5
宽体
SO5
欲了解更多信息，请访问：
fairchildsemi.com/pf/FO/FOD8320.html
fairchildsemi.com/pf/FO/FOD8321.html
